9月12日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”）850nm 10G VCSEL工藝平臺發布。該工藝平臺以其獨特的850nm波長，實現了10Gbps的高速數據傳輸能力。其采用先進的氧化物隔離技術，具有高可靠性、高數據速率和低閾值等長足優勢，非常適合短距離光互連應用,可廣泛運用于光傳輸、HDMI、激光雷達和數據中心等廣闊的場景。 

該工藝平臺采用先進的外延和制造工藝，確保了生產的芯片可以在高溫環境下穩定的工作和保持優異的光束質量，滿足了客戶高標準的性能要求。10G 850nm VCSEL工藝平臺代工產品展現出卓越的性能：驅動電流僅為6mA，輸出功率高達2.4mW，波長穩定性強，3dB帶寬大于12GHz。這些特性使得該平臺代工芯片非常適用于TO封裝及非氣密的COB封裝，為光通信模塊的多樣化設計提供了堅實的基礎。在可靠性方面，該工藝平臺已經通過2000小時的加速老化可靠性認證，等效于全天工作的條件下壽命遠大于20年，不僅滿足了高速數據傳輸的需求，同時也保證了傳輸的穩定性和可靠性。 

特別值得一提的是，850nm 10G VCSEL工藝平臺的面發射特性，使得激光垂直于產品頂面射出，這一結構優勢更易于實現二維平面和光電集成，為構建大規模光電子集成電路提供了可能。此外，VCSEL的圓形光束和低發散角，進一步提高了與光纖的有效耦合效率，助力通信系統的整體性能提升。

850nm 10G VCSEL光電特性參數

850nm 10G VCSEL LIV曲線圖

850nm 10G VCSEL工藝平臺產品

新微半導體擁有國際主流4吋、6吋GaAs VCSEL晶圓代工生產線，提供包括850nm 10G VCSEL在內的豐富的VCSEL工藝平臺，可為客戶提供從芯片制造、芯片切割分選和芯片測試的全流程代工服務。 

850nm 10G VCSEL工藝平臺的推出，滿足了市場對于高速光通信產品代工的需求，隨著5G、云計算、大數據和物聯網等新一輪技術的商業化應用，用戶對光通信網絡的帶寬提出了更高的要求，光電行業市場迎來了新的增長機遇，驅動光電行業向高速率化和集成化方向發展。新微半導體將抓住機遇，不斷拓展和制定更多的從外延到制造的代工解決方案，滿足不同客戶的需求，并為行業的發展貢獻一份力量。

 （來源：新微半導體）