2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術應用創新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。

日本華為股份有限公司高級首席專家濱田公守將出席論壇，并將帶來《最新高性能SiC MOSFET技術趨勢》的大會報告。

SiC是實現低碳社會電力電子系統新時代的一種有前景的材料。近年來，SBD和MOSFET等SiC器件開始大量供應，利用這些器件的應用范圍正在擴大。但可以利用SiC優勢并有望實現穩定增長的市場尚未完全建立，其中一個主要原因是成本高，而芯片性能影響著成本。近年來，8英寸晶圓的供應已經開始，報告將分享最新高性能SiC MOSFET技術趨勢，敬請關注！

嘉賓簡介

濱田公守

日本華為股份有限公司高級首席專家

濱田公守于1985年加入豐田汽車公司。1987年，他作為創始成員之一參與了TMC的內部半導體項目，主要負責功率MOSFET、BiCDMOS、IGBT和SiC MOSFET的器件開發。目前擔任華為技術日本公司功率半導體技術領域的高級首席專家，是日本電氣工程師學會（IEEJ）、日本汽車工程師學會（JSAE）和IEEE的成員。他獲得了ISPSD2005和ISPSD2020的最佳論文獎，曾擔任ISPSD2021名古屋分會的總主席。

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