大失配外延技術在氮化物第三代半導體材料中的應用顯著提升外延質量，推動材料和器件的產業化應用，進一步拓展其在各個領域的應用前景。 

第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）近日在蘇州召開。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。 

開幕大會上，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授沈波帶來了“基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件”的主題報告，分享了藍寶石襯底上AlN的外延生長及其器件研制、Si襯底上GaN的外延生長及其器件研制的最新研究進展。

氮化物半導體是“新基建”和“中國制造2025”的核心支撐技術之一，對國家的產業升級、節能減排、國防安全具有戰略意義。全球高技術競爭的關鍵領域之一。大失配異質外延是氮化物半導體的主流制備技術。從用電量和能耗角度審視，GaN未來在超算供電中類似SiC在電動汽車中的應用；SiC將更多面向新能源電網市場，而GaN將在智能計算供電中大展身手。 

當前，氮化物寬禁代半導體的材料和器件研究依然面臨一系列關鍵科學技術問題，需繼續開展深入、系統的研究工作。報告顯示，研究創新發展了一種藍寶石上AlN外延方法，NPAT襯底上AlN外延層位錯腐蝕坑密度降至~104 cm-2；在此基礎上研制出高性能的倒裝結構和垂直結構深紫外LED器件。發明數種Si襯底上GaN外延方法，制備出15.8 µm連續生長無裂紋GaN外延薄膜，室溫電子遷移率達1210 cm2/V.s，在此基礎上制備出多種高質量異質結構和功率電子器件及集成電路。研發成果支撐了華為、京東方等頭部企業的產品開發， 并實現了多種高質量外延材料的規模化生產。

（根據現場資料整理，僅供參考）