隨著第三代半導體功率器件在新能源汽車、光伏風電、電力傳輸等應用提升，第三代半導體功率器件的分析檢測需求也日益增加。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間“第三代半導體標準與檢測研討會”上，深圳平湖實驗室失效分析首席專家何光澤做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術與典型應用”的主題報告，結合第三代半導體功率器件產業鏈與分析檢測應用之關聯，第三代半導體功率器件分析流程，具體介紹了無損分析，電性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–結構與缺陷觀察等內容。

何光澤

深圳平湖實驗室失效分析首席專家

報告顯示，配備短波長的EMMI、高壓(3KV)的OBIRCH與thermal emission是第三代半導體功率器件失效分析缺陷定位不可或缺的儀器，增加了亮點偵測的效率。

SEM, FIB與TEM是結構觀察的三個基本工具，對于工藝研發占有舉足輕重的地位，若是需要判斷原子級別，則球差TEM是必備的設備。若是得觀察SiC的PN結，傳統的SEM以外，FIB與SCM也是另外的選項。SIMS在縱深摻雜濃度的檢測是唯一的選擇，與結構觀察同等重要。

表面分析、污染分析、化學態鑒定、晶向與晶粒觀察，位錯觀察、應力分析等等，不同的分析場景就需應用不同的材料分析工具，分析者需確認材料的元素、分子、結構、樣品狀態，觀察范圍來選擇適合的工具，并充分與各領域專家討論后，才能提供最適合的方案。 

嘉賓簡介

何光澤，深圳平湖實驗室失效分析首席專家，曾在茂硅與聯電負責良率提升與失效分析的事務，在樣品化學處理、缺陷定位與電鏡觀察上有豐富的經驗。2015進入第三方分析檢測實驗室閎康科技，并于后期擔任失效分析處長一職，總管兩岸失效分析與靜電測試之業務，在閎康科技期間，發表了5篇國際論文，同時也擔任臺灣靜電學會議程委員與臺灣電路板協會半導體構裝委員會委員。何光澤于2024年加入深圳平湖實驗室擔任失效分析首席專家，負責分析檢測中心的管理運作。

關于平湖實驗室

國家第三代半導體技術創新中心（深圳）于2021年12月由科技部授牌，2022年8月由深圳市科技創新局舉辦成立深圳平湖實驗室作為主體運營單位，圍繞SiC和GaN及下一代先進功率電子材料及器件、核心裝備及零部件、配套材料等領域，開展核心技術攻關。 

實驗室位于深圳市龍崗區羅山科技園，占地面積130畝，100級潔凈間面積9500平米，擁有業界領先的寬禁帶功率半導體基礎設施，國際、國內各類先進設備380余臺套。實驗室人力規模350人，匯聚海內外頂尖人才，打造面向全國的開放、公共、共享的科研、中試和分析檢測平臺，共同構建可持續發展的未來。

（根據現場資料整理，僅供參考）