近年來，GaN功率電子器件行業呈現出快速發展的態勢，在GaN量子光源芯片等領域取得重大突破，進一步推動了GaN技術的應用。‌近期，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，由北京北方華創微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）、深圳平湖實驗室協辦支持的“氮化鎵功率電子器件技術II”分會上，珠海鎵未來科技有限公司總裁、IEEE Fellow吳毅鋒，大連理工大學副教授張賀秋，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創新中心副主任、特聘教授李祥東，弗吉尼亞理工大學電力電子中心副教授張宇昊，西交利物浦大學副教授劉雯，廣東工業大學博士黃福平，深圳大學研究員、微電子研究院院長助理、IEEE Senior Member劉新科，中國科學院上海微系統與信息技術研究所蘇杭，南京大學王瀟男等嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。

吳毅鋒

珠海鎵未來科技有限公司總裁、IEEE Fellow

珠海鎵未來科技有限公司總裁、IEEE Fellow吳毅鋒做了“氮化鎵功率器件的優劣勢和發展方向探討”的主題報告，分享了相關研究進展。報告指出，Si MOSFETs在20-200V市場保持優勢。Si IGBTs仍用于低成本電機驅動應用。SiC MOSFETs廣泛應用于電動汽車動力總成電機驅動，擴展到其他高功率/高壓（>1.2kV）應用。GaN HEMTs在幾乎所有600-900V電源市場中更換硅MOSFET，將成為AI電源的主要參與者。

張賀秋

大連理工大學副教授

大連理工大學副教授張賀秋做了“氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）傳感器研究”的主題報告，分享了GaN HEMT傳感器制備及結構優化、GaN HEMT傳感器的特性等研究進展。涉及AlGaN/GaN HEMT pH 傳感器、AlGaN/GaN HEMT葡萄糖傳感器、AlGaN/GaN HEMT CEA（癌坯抗原）傳感器、AlGaN/GaN HEMT 氨氣傳感器、AlGaN/GaN HEMT二氧化碳傳感器。其中，創新提出傳感器驅動LED發光信息讀出技術。獲得授權發明專利1項。

李祥東

西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創新中心副主任、特聘教授

西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創新中心副主任、特聘教授李祥東做了“藍寶石基GaN功率器件研究進展”的主題報告，分享了藍寶石基氮化鎵中試技術進展等內容。報告指出，未來GaN將全面滲透30~3300V電力電子市場，有望占據功率半導體10%以上的市場份額。

張宇昊

弗吉尼亞理工大學電力電子中心副教授

弗吉尼亞理工大學電力電子中心副教授張宇昊做了“多維GaN功率器件：從器件物理到應用”的主題報告，分享了相關研究進展。報告指出，功率器件的進步依賴于材料和器件架構；多維結構突破GaN極限，實現幾何縮放；使用p-NiO在GaN中的初步演示，突破了1-D GaN的極限；用于高壓橫向器件（如10 kV GaN）的新平臺；GaN器件具有動態無R_ON、雪崩和短路魯棒性；千伏、MHz轉換器，在系統中優于SiC和Si。

劉雯

西交利物浦大學副教授

《基于E/ d模三柵極AlGaN/GaN MIS-HEMTs的單片電路》

黃福平

廣東工業大學博士

《Si基GaN功率器件中缺陷對載流子輸運行為的影響》

劉新科

深圳大學研究員、微電子研究院院長助理、IEEE Senior Member

《具有PEALD-GaOx中間層的界面增強垂直Al₂O₃ GaN MOS電容器》

蘇杭

中國科學院上海微系統與信息技術研究所

中國科學院上海微系統與信息技術研究所蘇杭做了“寬禁帶半導體垂直功率器件的曲率自適應端接”的主題報告，報告顯示，當以相同的電壓水平施加時，與P-FLR相比，CAT結構需要更少的外延層厚度，而不會增加器件面積。降低外延工藝要求，外延層厚度從10.5μm減小到9.5μm。器件的Ron降低了約9%（pn二極管）、7%（JBS）、4%（JFET）。

王瀟男

南京大學

《用于dv/dt串擾抑制的GaN高頻驅動電路設計與研究》

（根據現場資料整理，僅供參考）