氮化鎵電力電子器件在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。全球GaN功率半導體市場規模迅速增長，半導體大廠通過并購等方式加強在GaN領域的技術儲備和市場布局。 近期，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。
期間，由北京北方華創微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）、深圳平湖實驗室協辦支持的“氮化鎵功率電子器件技術III”的分會上，海思半導體有限公司功率器件技術專家包琦龍、山東大學陳思衡、中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員胡衛國、南方科技大學研究教授汪青、北京大學研究員魏進、中國科學院蘇州納米所特別研究助理郭小路、大連理工大學雷蕓、南京大學郝琳、中山大學許森源等嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術進展與發展趨勢。
包琦龍
海思半導體有限公司功率器件技術專家
海思半導體有限公司功率器件技術專家包琦龍做了“ICT場景下中低壓 (<200V) GaN 器件應用挑戰”的主題報告，分享了封裝、應用、可靠性等相關進展。報告顯示，DrGaN技術探索方面，先進制程下FOM極致優化，充分挖掘GaN HEMT潛力。通過12 inch產線先進工藝設備實現極小尺寸GaN HEMT器件制備，極致優化GaN HEMT器件FOM，突破傳統CMOS極限。結合wafer bonding工藝，實現GaN/Si同片集成。器件尺寸優化提升空間大，pGaN結構溝道長度壓縮挑戰大。報告顯示，器件元胞設計、封裝、可靠性、應用領域仍有提升空間，亟需業界同仁傾力投入。結合先進制程和工藝優化，GaN參數指標可大幅領先同等電壓Si器件水平。在熱阻測試、高結溫 GaN 能力提升（175°）、機械應力、集成/合封、PCB互聯布局。
陳思衡
山東大學
山東大學陳思衡做了“高閾值電壓（VT = 7 V）增強型GaN功率器件研究”的主題報告，分享了相關研究進展。MIS復合柵極可以有效提高增強型P-GaN gate HEMT閾值電壓；MIS復合柵極存在界面質量難以控制，柵極耐壓降低，閾值電壓調控復雜等問題；通過氧化處理得到的GaON擁有更優異的材料特性；氧氣處理 (OT) 可以優化表面質量并修復損傷；致密的GaON起到過渡的作用，優化了P-GaN和介質層之間的界面質量；OTALD技術大幅提高了器件閾值電壓，并且器件電學性能具有優異的穩定性；OTALD技術可以抑制柵極漏電并減小P-GaN表面態，器件具有更優異的高壓特性；OTALD技術在高柵極驅動電壓和大功率器件中具有巨大的應用潛力。
胡衛國
中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員
中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員胡衛國做了“AlGaN/GaN HEMT能帶工程與制造工藝”的主題報告，分享了相關研究進展。報告顯示，開發了HEMT壓電模型、晶片生長和器件工藝。擊穿電壓大于915V，最大電流大于10A。提出了一種界面驅動的歐姆接觸策略。TiAl/TiAlTa/Au接觸實現了0.07Ωmm的超低Rc。揭示了HEMT中的機械熱電耦合機制。開發了HEMT-MEMS，并實現了具有無條件和條件反射的類神經分層控制系統。
汪青
南方科技大學研究教授
《GaN單片集成器件和感算一體智能傳感系統研究》
魏進
北京大學研究員
《面向高壓高頻應用的GaN功率元件的動態穩定性挑戰》
郭小路
中國科學院蘇州納米所特別研究助理
中國科學院蘇州納米所特別研究助理郭小路做了”Si襯底/GaN襯底上的GaN基縱向功率二極管“，分享了GaN與垂直功率器件、輕摻雜技術、邊緣終止和硅基GaN器件、GaN上的垂直GaN器件等相關進展。研究顯示，通過調整生長條件，實現了漂移層的可重復和可控的輕摻雜技術；氮注入硅基600V GaN垂直SBD和硅基1200V GaN pn二極管的邊緣終止；從高電場下的模擬來看，Ref-SBD的失效源于局部電應力，而NIT-SBD的局部熱應力。
雷蕓
大連理工大學
大連理工大學雷蕓做了”基于薄勢壘結構和AlSiO復合柵介質的高飽和電流增強型GaN基MIS-HEMT器件研究“的主題報告，分享了相關研究進展。隨著高頻和高功率應用的市場需求，GaN基功率器件在傳統和新興領域都顯示出巨大的潛力；與D型HEMT相比，E型GaN基HEMT已成為提高器件安全性、操作可靠性和簡化柵極驅動電路設計的關鍵研究方向；優化凹柵MIS HEMT中的柵極電介質和界面質量是一個關鍵的研究重點（結合Al2O3和SiO2優點的AlSiO復合電介質）；AlSiO復合電介質是平衡E型GaN基MIS HEMT中Vth和擊穿場的有效解決方案，為未來的柵極電介質設計提供了新的見解和方向。
郝琳
南京大學
《高性能凹槽柵結構的BaTiO3-AlGaN/GaN MOS HEMTs》
許森源
中山大學
中山大學許森源做了”基于多級拓撲的GaN功率HEMT器件nFOM分析“的主題報告，分享了相關研究成果。報告顯示，GaN功率HEMT的nFOM值與阻斷電壓之間的相關性不如Si MOSFET明顯，這給應用多級拓撲結構顯著降低GaN器件的損耗帶來了困難。通過工藝優化和芯片結構的合理設計，可以進一步降低低壓GaN-HEMT的nFOM值。此外，GaN HEMT制造商需要建立統一的阻斷電壓裕度標準。GaN功率HEMT的多層次應用值得期待和推廣。
（根據現場資料整理，僅供參考）
