天眼查顯示，蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)為CN118610892B，授權(quán)公告日為2024年11月15日，申請(qǐng)日為2024年8月8日。

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法，其中一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片包括：襯底；位于襯底一側(cè)依次生長(zhǎng)的緩沖層、NDBR層、N型摻雜層、有源區(qū)層、P型摻雜層、PDBR層和歐姆接觸層；其中，P型摻雜層包括依次設(shè)置的第一摻雜層、第一超晶格結(jié)構(gòu)層、氧化層、第二超晶格結(jié)構(gòu)層和第二摻雜層，第一超晶格結(jié)構(gòu)層和第二超晶格結(jié)構(gòu)層分別包括交替生長(zhǎng)的兩種或多種材料層。本申請(qǐng)公開(kāi)的一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法，在保證正常的電流限制能力的同時(shí)，將應(yīng)力弛豫到上下兩層超晶格結(jié)構(gòu)層中，簡(jiǎn)化工藝步驟，提高生產(chǎn)效率，提升器件工作壽命及可靠性，能廣泛應(yīng)用于激光器制造領(lǐng)域。