國家知識產權局信息顯示，上海天岳半導體材料有限公司申請一項名為“一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體”的專利，公開號 CN 119177489 A，申請日期為 2023年6月。

專利摘要顯示，本申請公開了一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體，屬于SiC生產加工技術領域。SiC襯底包括第一表層、第二表層和中間層；同一軸線上，在所述第一表層中任意平行于第一主表面或第二主表面的平面處，Smax1代表第一表層中徑向應力絕對值最大值，Smax2代表中間層中徑向應力絕對值最大值，Smax3代表第二表層中徑向應力絕對值最大值，△S1＝Smax2Smax1，△S2＝Smax2Smax3，15MPa≤△S1≤10MPa，15MPa≤△S2≤10MPa。上述第一表層、第二表層和中間層中SiC襯底中的徑向應力均較低，且各個層之間的應力分布均勻性好，能夠提高SiC襯底的質量，擴大該SiC襯底的使用范圍，有利于下游外延片和晶體的生產加工。