半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：據(jù)“鎵仁半導(dǎo)體”公號(hào)消息，2024年12月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”）在超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重大突破。公司與下游客戶攜手，對(duì)鎵仁半導(dǎo)體(010)面氧化鎵半絕緣襯底進(jìn)行了深入的器件驗(yàn)證工作。成功制備了性能卓越的增強(qiáng)型晶體管，其擊穿電壓高達(dá)2429V，相較于進(jìn)口襯底的器件驗(yàn)證結(jié)果，性能指標(biāo)實(shí)現(xiàn)了顯著提升。這一成就不僅展現(xiàn)了鎵仁半導(dǎo)體在氧化鎵襯底技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，也為國(guó)產(chǎn)氧化鎵襯底在功率器件量產(chǎn)應(yīng)用的道路上，奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

擊穿曲線

性能參數(shù)領(lǐng)先

在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中，（010）晶面具有獨(dú)特的物理特性，使其在外延與器件方面具有出色的表現(xiàn)。首先，(010)襯底熱導(dǎo)率最高，有利于增強(qiáng)器件散熱，提升功率器件性能；其次，(010)襯底具有較快的外延生長(zhǎng)速率，提升外延效率。

基于鎵仁半導(dǎo)體提供的(010)面氧化鎵半絕緣襯底，下游器件客戶實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)比大于10的7次方，擊穿電壓高達(dá)2429V的增強(qiáng)型晶體管，器件柵漏間距30 μm，柵寬3 μm，關(guān)態(tài)漏電~10-7mA/mm，在同等條件下，鎵仁襯底的器件指標(biāo)顯著優(yōu)于進(jìn)口襯底的器件驗(yàn)證結(jié)果（2080V）。

轉(zhuǎn)移曲線

輸出曲線

技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)突破

鎵仁半導(dǎo)體的這一進(jìn)展得益于其在氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)上的不斷創(chuàng)新。

2024年3月，公司采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法，成功制備了6英寸高質(zhì)量氧化鎵單晶襯底。

2024年4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了自主量產(chǎn)，成為全球唯一的晶圓級(jí)(010)氧化鎵襯底供應(yīng)商。

2024年9月，公司又推出了首臺(tái)國(guó)產(chǎn)氧化鎵專(zhuān)用VB法長(zhǎng)晶設(shè)備，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)技術(shù)空白，進(jìn)一步助力國(guó)產(chǎn)氧化鎵材料行業(yè)的發(fā)展。

國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中的新優(yōu)勢(shì)

面對(duì)日益嚴(yán)峻的國(guó)際形勢(shì)，尤其是氧化鎵材料禁運(yùn)政策的挑戰(zhàn)，鎵仁半導(dǎo)體的技術(shù)突破顯得尤為重要。此次下游客戶在鎵仁半導(dǎo)體襯底上實(shí)現(xiàn)的器件性能超越了進(jìn)口產(chǎn)品，進(jìn)一步證明了鎵仁半導(dǎo)體材料技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力，公司的創(chuàng)新成果不僅助力國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)打破國(guó)際壟斷，還推動(dòng)了行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

總結(jié)與展望

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司的這一技術(shù)突破，不僅展示了中國(guó)在第四代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)了中國(guó)智慧。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的加速，鎵仁半導(dǎo)體有望在未來(lái)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中扮演更加重要的角色。