近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)，在β-氧化鎵（β-Ga2O3）單晶生長領(lǐng)域取得關(guān)鍵技術(shù)突破！在國際知名期刊Crystal Growth & Design第25卷/第3期發(fā)表了題為《Highly Coherent Grain Boundaries Induced by Local Pseudomirror Symmetry in β-Ga2O3》的研究論文。  β-Ga2O3是一種極易在單晶生長與外延過程中產(chǎn)生孿晶的材料，嚴(yán)重制約了單晶生長與外延的良率提升。本研究從對(duì)稱性（Symmetry）原理出發(fā)，首次提出了β-Ga2O3中的準(zhǔn)對(duì)稱性（Pseudo Symmetry），成功解析了（100）孿晶界與“共格非對(duì)稱孿晶界”的物理起源，破解了β-Ga2O3易形成孿晶的“基因”。有助于從科學(xué)原理與工程設(shè)計(jì)的層面提升單晶生長與外延的良率，為高性能器件開發(fā)掃清關(guān)鍵障礙。參考此研究結(jié)果，鎵仁研發(fā)團(tuán)隊(duì)基于自研氧化鎵專用設(shè)備對(duì)β-Ga2O3生長工藝開展優(yōu)化迭代，初步解決了孿晶這一行業(yè)難題。

Part.01文章導(dǎo)讀

對(duì)稱性是宏觀世界的核心概念之一，從天體運(yùn)動(dòng)的角動(dòng)量守恒，到自然生物的形態(tài)與功能，都深受對(duì)稱性的影響。即便在更為微觀的原子尺度，對(duì)稱性亦不可或缺。對(duì)于晶體材料的透徹理解，同樣離不開對(duì)其對(duì)稱性的深刻認(rèn)識(shí)，β-Ga2O3也并不例外。β-Ga2O3是一種具有廣闊應(yīng)用前景的寬禁帶半導(dǎo)體材料。眾所周知，β-Ga2O3的空間群為C2/m，相較于具有P63mc空間群的4H-SiC與GaN，其對(duì)稱操作更少，對(duì)稱性也更低。在圖1所示β-Ga2O3單胞中，存在具有鏡面對(duì)稱性的（010）面，以及具有二次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性與螺旋旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的[010]晶向。

【圖1】 β-Ga2O3單胞中的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)稱性

然而，在上述嚴(yán)格的對(duì)稱性之外，β-Ga2O3還具有特殊的“準(zhǔn)對(duì)稱性”（Pseudo Symmetry）。如圖2（a）所示，β-Ga2O3具有“準(zhǔn)鏡面對(duì)稱”的原子層結(jié)構(gòu)，“準(zhǔn)鏡面對(duì)稱”的含義是，該層原子的鏡像和它本身之間的位置并不嚴(yán)格重合，但僅僅差了微不足道的一點(diǎn)距離。該原子層的“準(zhǔn)鏡面對(duì)稱”面垂直于（100）面，在圖2（a）中標(biāo)注為黑色虛線，該“準(zhǔn)對(duì)稱面”的間距為：

這一“準(zhǔn)對(duì)稱性”使β-Ga2O3的單晶生長和外延過程中極易出現(xiàn)（100）面的孿晶。正如圖2（b）所示，在形成孿晶結(jié)構(gòu)后，孿晶界面處幾乎沒有原子的位移與鍵的扭曲，其孿晶界面能僅為0.008J/m2——幾乎等于沒有！

【圖2】 （a）β-Ga2O3中的準(zhǔn)對(duì)稱原子層；（b）建立于準(zhǔn)對(duì)稱性上的β-Ga2O3的（100）面孿晶

此時(shí)，另一個(gè)巧合出現(xiàn)：β-Ga2O3的單胞結(jié)構(gòu)存在特殊的“晶格巧合”，如圖3（a）所示：

這種“晶格巧合”與“準(zhǔn)對(duì)稱性”疊加，使β-Ga2O3中存在兩種特殊“孿晶核心”，如圖3（b）和（c）所示。

【圖3】（a）β-Ga2O3的特殊“晶格巧合”；（b）β-Ga2O3中的A型孿晶核心；（c）β-Ga2O3中的B型孿晶核心

圖3（b）和（c）中的“孿晶核心”的三維拓展，構(gòu)成了圖4中的一系列的孿晶界面結(jié)構(gòu)。微觀上，它們可被視為由“孿晶核心”串成的孿晶鏈；而宏觀上，這些界面結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為由不同晶面構(gòu)成的孿晶。例如，圖4（b）中的界面結(jié)構(gòu)，宏觀上就表現(xiàn)為β-Ga2O3的（002）面與（20-2）面產(chǎn)生了孿晶！在此，我們將其命名為“共格非對(duì)稱孿晶界”（Coherent Asymmetric Grain Boundaries，CAGBs）。

【圖4】（a）-（f）由孿晶核心拓展成的三位共格非對(duì)稱孿晶；（g）共格非對(duì)稱孿晶在宏觀上表現(xiàn)為由兩個(gè)不同的晶面組成的孿晶界；（f）構(gòu)成共格非對(duì)稱孿晶的晶面的表面能

共格非對(duì)稱孿晶界在β-Ga2O3的單晶生長與外延中扮演著不可忽視的角色。如圖5所示，在采用直拉法生長2英寸β-Ga2O3單晶時(shí)，我們觀察到了共格非對(duì)稱孿晶的結(jié)構(gòu)，并通過圖5（e）中的HAADF-STEM以及第一性原理計(jì)算，明確了圖4（b）為最穩(wěn)定的β-Ga2O3共格非對(duì)稱孿晶結(jié)構(gòu)。

【圖5】 采用直拉法生長的2英寸β-Ga2O3單晶中的共格非對(duì)稱孿晶，采用（a）偏光應(yīng)力儀；（b）光學(xué)顯微鏡；（c）TEM；（d）STEM與（e）HAADF-STEM觀察的共格非對(duì)稱孿晶的結(jié)構(gòu)。

我們以β-Ga2O3（100）面襯底的臺(tái)階流外延為例，說明共格非對(duì)稱孿晶對(duì)β-Ga2O3外延的重要作用。大量研究表明，β-Ga2O3（100）面可以通過斜切的方式實(shí)現(xiàn)臺(tái)階流生長，以提升外延質(zhì)量。然而，斜切方向?qū)ν庋淤|(zhì)量的決定性作用的原理，依然懸而未解（APL Mater. 7 022515 (2019)）。在此，我們需要強(qiáng)調(diào)共格非對(duì)稱孿晶界的關(guān)鍵作用。如圖6（a）所示，（100）面襯底沿著[001]斜切暴露出(001)面的臺(tái)階面，沿著[00-1]斜切暴露出(-201)的臺(tái)階面。在沿著[001]斜切暴露出的（001）臺(tái)階面處，因共格非對(duì)稱孿晶的存在，會(huì)形成一種孿晶缺陷，它的能量密度是3.11J/m2，甚至低于無孿晶缺陷的能量密度3.26J/m2——這意味著在外延過程中，孿晶會(huì)自發(fā)形成！然而，在沿著[00-1]斜切的（100）襯底上，（-201）臺(tái)階面抑制了相關(guān)孿晶缺陷的形成。因此，為了提高外延的質(zhì)量，合理選擇β-Ga2O3襯底的方向，是至關(guān)重要的。

【圖6】 （a）β-Ga2O3（100）襯底沿[001]方向斜切暴露出（001）臺(tái)階面，沿[00-1]方向斜切暴露出(-201)臺(tái)階面。（b）在（001）臺(tái)階面上，由共格非對(duì)稱孿晶導(dǎo)致的臺(tái)階處的孿晶缺陷，其能量低于無缺陷的臺(tái)階。

Part.02總結(jié)

在這項(xiàng)開創(chuàng)性的研究成果中，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)首次提出了“準(zhǔn)對(duì)稱性”與“晶格巧合”的理論，并通過深入解析孿晶界的物理機(jī)制，成功攻克了長期困擾行業(yè)的晶體缺陷難題，并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)面無孿晶β-Ga2O3襯底的量產(chǎn)，（新進(jìn)展︱杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長）標(biāo)志著我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的科學(xué)與工程實(shí)力邁上新臺(tái)階。展望未來，鎵仁半導(dǎo)體將持續(xù)致力于推動(dòng)國家寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，深耕氧化鎵領(lǐng)域科技創(chuàng)新，為客戶提供高性價(jià)比的優(yōu)質(zhì)氧化鎵產(chǎn)品，爭做行業(yè)技術(shù)引領(lǐng)者。詳細(xì)內(nèi)容，請(qǐng)閱讀原文（DOI：10.1021/acs.cgd.4c01504）