Ⅲ族氮化物是典型的寬禁帶半導體材料，GaN電力電子器件已廣泛用于電力電子領域。AlGaN/GaN 結構能夠產生高濃度 (>1×10¹³ cm⁻²)和高遷移率 (~2000 cm²/V·s) 的二維電子氣。結合 GaN 的高臨界電場 (~3.3 MV/cm)，基于AlGaN/GaN 的功率電子設備能夠實現更快的速度、更低的導通電阻和更高的擊穿電壓 (BVs)。 

2025年2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦，極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，重慶郵電大學、重慶大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協辦。   

南京大學電子科學與工程學院 教授陳鵬受邀將出席論壇，并帶來《高壓GaN基SBD功率器件研究進展》的主題報告，報告將分享其課題組近年來通過研究GaN SBD的擊穿機制和器件工藝，研制超高壓/低開起的GaN SBD的有關成果。研究進展詳情，敬請關注！ 

嘉賓簡介

陳鵬，南京大學電子科學與工程學院，教授

陳鵬，南京大學電子科學與工程學院，教授。2000年12月在南京大學物理系獲理學博士學位，?長期從事半導體光電子學研究，取得了一批世界首創、國內領先的研究成果。2001年至2007年歷任新加坡科研局材料研究院研究員、首席科學家、新加坡國立大學電機工程系博士生導師，是“江蘇省高層次創新創業人才引進計劃”創新人才，江蘇省“333人才工程”中青年領軍人才，2010年江蘇省有突出貢獻的中青年專家，獲2011年江蘇省“333人才工程”突出貢獻獎，2011年中國產學研創新獎個人獎，教學獲批江蘇省一流本科課程，江蘇省材料學會教學成果一等獎。主持過多項國際合作項目，是國家2015年“863”主題項目“第三代半導體器件與評價技術”首席專家，2024年國家重點研發計劃戰略性科技創新合作項目首席科學家，主持和參加多項國家“973”、“863”、國家自然基金、江蘇省重點研發項目等重大研究項目。申請國際發明專利7項，6項獲授權，申請國家發明專利90余件。共發表學術論文200余篇，其中SCI收錄190余篇。參與編著專著五部。 

“先進半導體產業大會（CASICON）”

  “先進半導體產業大會（CASICON）”是由極智半導體產業網主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導體產業為己任，聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，持續輸出高質量的活動內容。自活動啟動以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟南、上海等城市，圍繞產業鏈不同環節熱點，通過“主題會議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺，促進了參與各方交流合作，捕捉合作新機遇，發揮了重要的橋梁與聚合價值。 

目前論壇組織正有序進行中，論壇誠邀全產業鏈相關專家學者、企業、從業人士蒞臨現場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖???