據(jù)韓聯(lián)社23日報道，韓國科技評估與規(guī)劃研究院當天發(fā)布的調(diào)查報告顯示，韓國絕大多數(shù)半導體技術已被中國趕超。該研究院針對39名韓國專家進行問卷調(diào)查的結果顯示，截至去年，韓國所有半導體領域的基礎力量均落后于中國。若將技術最先進國家的水平設為100%，韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片技術領域為90.9%，低于中國（94.1%）；在高性能、低功耗的人工智能（AI）芯片領域，韓國（84.1%）不及中國（88.3%）。

在功率半導體方面，韓國為67.5%，中國高達79.8%；在新一代高性能傳感技術方面，韓中兩國分別為81.3%和83.9%；半導體先進封裝技術方面，兩國均為74.2%。據(jù)報道，在針對半導體領域整體技術生命周期的問卷調(diào)查中，韓國在工藝和量產(chǎn)方面領先于中國，但在技術、原創(chuàng)及設計領域落后于中國。而從商業(yè)化角度來看，韓國僅在高集成度、低阻抗存儲芯片和先進封裝方面領先中國。

值得關注的是，參與此次調(diào)查的專家在2022年認為韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片、先進封裝以及新一代高性能傳感技術等方面均領先中國，但僅兩年就改變了看法。專家們認為，韓國半導體技術水平未來面臨的問題主要有核心人才流失、AI芯片技術、中美競爭、本國優(yōu)先政策、供應鏈本地化等，其中只有AI芯片技術可能對韓國的技術水平產(chǎn)生積極影響。

 韓國《首爾經(jīng)濟》23日注意到，中國在美國施加的巨大壓力下仍取得了這樣的成果。韓國YTN電視臺評論稱，推動“半導體崛起”的中國在10年間持續(xù)進行國家層面的大規(guī)模投資，相關成果逐漸顯現(xiàn)。“尤其令人擔憂的是”，韓企在具有優(yōu)勢的存儲器領域和戰(zhàn)略價值較高的傳感器領域，時隔兩年被中國反超。韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會專務理事安基鉉（音）表示，中國投入相當多的研究開發(fā)費用支持學校或研究機構，以確保人才和原創(chuàng)技術，形成了整個產(chǎn)業(yè)的基礎。

（來源：環(huán)球時報）