德國(guó)ALLOS Semiconductors GmbH市場(chǎng)總監(jiān)Alexander LOESING帶來(lái)“無(wú)碳摻雜GaN-on-Si大外延片實(shí)現(xiàn)低漏電流”報(bào)告。 “我們已經(jīng)在（111）硅襯底上通過(guò)MOVPE生長(zhǎng)了150mm的硅襯底GaN外延片；并且已經(jīng)通過(guò)增加GaN厚度到7 ?m能夠顯示有效的隔離。同時(shí)，已經(jīng)可以展示進(jìn)一步提高晶體質(zhì)量提高隔離效果；在XRD下的FWHM為 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我們證明了通過(guò)優(yōu)化GaN和Si襯底之間核/緩沖層以及GaN層的插入層的