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辰華半導體郭炳磊：用
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辰華半導體郭炳磊：用
用于氮化鎵異質外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術High Temperature PVD AlN e Buffer Layer Technology for GaN Heteroepitaxy
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IFWS2025-01-09 14:28
中國科學院蘇州納米所
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中國科學院蘇州納米所
氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展及面臨的挑戰Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:24
思體爾總經理LAMBRINA
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思體爾總經理LAMBRINA
基于量產的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA蘇州思體爾軟件科技有限公司總經理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:20
南京理工大學副教授黃
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南京理工大學副教授黃
28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統28GHz GaN based time modulated beamforming system黃同德南京理工大學副教授HUANG TongdeAssociate Professor of Nanjing University of Science and Technology
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guansheng2023-05-22 15:18
能訊高能半導體副總裁
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能訊高能半導體副總裁
氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新GaN Driving innovation in 5G, RF Energy and beyond裴軼蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁PEI YiVice President of Dynax Semiconductor, Inc
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guansheng2023-05-22 15:17
美國弗吉尼亞理工大學
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美國弗吉尼亞理工大學
中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices張宇昊美國弗吉尼亞理工大學助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University
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guansheng2023-05-22 15:01
潤新微電子副總經理王
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潤新微電子副總經理王
后快充時代的氮化鎵功率器件產業化GaN Power Devices Beyond Adapter Applications王榮華潤新微電子（大連）有限公司副總經理WANG RonghuaVice General Manager of Runxin Microelectronics
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guansheng2023-05-22 15:00
南京郵電大學博士劉建
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南京郵電大學博士劉建
氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術研究Research on the breakdown theory and electric field homogenization technology of GaN-based Power Devices劉建華南京郵電大學博士
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guansheng2023-05-22 14:56
英諾賽科產品應用主任
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英諾賽科產品應用主任
氮化鎵在新能源智能汽車的應用探索與實踐Research of InnoGaN in New-energy Intelligent?Vehicle Applications孟無忌英諾賽科產品應用主任工程師Eric MENGChief Engineer of Product Application for Innoscience
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guansheng2023-05-22 14:38
甬江實驗室研究員王文
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甬江實驗室研究員王文
異質集成氮化鎵功率模塊的量產制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實驗室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)
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guansheng2023-05-22 14:29
中國科學院蘇州納米所
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中國科學院蘇州納米所
氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件研究部研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 10:07
南京郵電大學教授嚴嘉
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南京郵電大學教授嚴嘉
氮化鎵光電子融合集成及應用Monolithic III-nitride multicomponent system and its applications嚴嘉彬南京郵電大學教授WANG Yongjin Professor of Nanjing University of Posts and Telecommunications
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guansheng2023-05-19 13:52
鎵敏光電董事長、南京
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鎵敏光電董事長、南京
氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術與產業化應用陸海鎵敏光電董事長、南京大學教授LU HaiProfessor of Nanjing University
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guansheng2023-05-19 12:02
上海科技大學信息學院
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上海科技大學信息學院
基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術王浩宇上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
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guansheng2023-05-19 09:09
臺達電子董慨：碳化硅
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臺達電子董慨：碳化硅
碳化硅及氮化鎵功率器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達電子高階客制電源事業部中國區總監Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
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guansheng2023-05-19 09:03
武漢大學工業科學研究
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武漢大學工業科學研究
無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態熱反射技術Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學工業科學研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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guansheng2023-05-19 08:53
中國科學院蘇州納米技
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中國科學院蘇州納米技
常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生
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guansheng2022-09-09 15:53
圓桌對話：碳化硅、氮
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圓桌對話：碳化硅、氮
主題對話環節，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業界中青代骨干
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guansheng2022-09-08 15:57
西安電子科技大學張進
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西安電子科技大學張進
勢壘可調、位錯免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學
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guansheng2022-09-01 12:20
徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科研究員中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59

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