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中電科13所高楠:MOCVD生長高質量6英寸SiC上GaN HEMT材料
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MOCVD2022
2025-04-27 11:01
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MOCVD生長高質量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠,房玉龍*,尹甲運,張志榮,王波,李佳,蘆偉立,陳宏泰,牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng
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