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硅晶圓廠中的SiC制造SiC Fabrication in a Silicon FabVictor VELIADIS美國電力執行董事 CTO、ICSCRM2024大會主席、北卡羅來納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW

異質集成氮化鎵功率模塊的量產制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實驗室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)

SiC功率器件制造裝備技術及發展趨勢Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所、半導體裝備研究部主任Xiaoliang GONGDirector of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛星制造廠有限公司領域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd

SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術的研究成果。在傳統的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發現碳化硅（SiC）因為其化學性質比較惰性已經可以作為傳統批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應用中可以使用典型

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創芯聚智 共享生態為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業領袖、行業機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產業發展。 本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市