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基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學理學部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University

面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案NAURA Solutions for SiC Power Devices張軼銘北京北方華創微電子裝備有限公司Zhang YimingBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd

AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛國中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

等離子刻蝕技術在第三代化合物半導體領域的應用Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field謝秋實北京北方華創微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業部副總經理XIE QiushiDeputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.

GaN半導體垂直腔面激光器的仿真設計與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業大學教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

MgO（100）上生長柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大學教授HE YunbinProfessor of Hubei University

超高熱導率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學工學院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University

GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛星制造廠有限公司領域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd

AlGaN基低維量子結構外延和電導率調控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學物理學院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

化合物半導體工藝設備解決方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王顯剛北京北方華創微電子裝備有限公司LED及化合物半導體行業發展部總經理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.

河北半導體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內匹配封裝器件仿真技術研究》主題報告。

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。

河北工業大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結果。 研究通過極化調制、摻雜調控等手段適當調節載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統探究了各種

北京大學劉放做了題為高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。

湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設計