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  • 美國 PowerAmerica 執(zhí)
    加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban
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    IFWS2025-01-09 15:39
  • 普興電子市場總監(jiān)張國
    大直徑碳化硅外延市場發(fā)展與挑戰(zhàn)Development and Challenges of Large Diameter Silicon Carbide Epitaxial張國良河北普興電子科技股份有限公司市場總監(jiān)ZHANG GuoliangMarketing Director of Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD
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    IFWS2025-01-09 15:04
  • 山東大學(xué)教授、南砂晶
    碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
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    IFWS2025-01-09 15:03
  • 浙江大學(xué)教授皮孝東：
    提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝東浙江大學(xué)教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University
    55800
    IFWS2025-01-09 15:00
  • Victor VELIADIS教授
    硅晶圓廠中的SiC制造SiC Fabrication in a Silicon FabVictor VELIADIS美國電力執(zhí)行董事 CTO、ICSCRM2024大會主席、北卡羅來納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW
    55500
    IFWS2025-01-09 14:52
  • 芯聚能半導(dǎo)體總裁周曉
    碳化硅產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)周曉陽廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司總裁
    111200
    IFWS2025-01-09 14:17
  • 安世半導(dǎo)體中國區(qū)SiC
    安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發(fā)展的助推器王駿躍安世半導(dǎo)體中國區(qū)SiC戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人
    42500
    IFWS2025-01-09 14:13
  • 山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體
    電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
    111200
    guansheng2023-05-22 15:20
  • 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體碳化硅
    SiC MOS在新能源汽車充電樁中的技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用田亮南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd
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    guansheng2023-05-22 14:37
  • 賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)
    Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級功率模塊用高性價比解決方案Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module張靖賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)ZHANG JingDirector of Innovation China, Heraeus Electronics
    56500
    guansheng2023-05-22 13:55
  • 東南大學(xué)教授劉斯揚：
    電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress劉斯揚東南大學(xué)教授LIU SiyangProfessor of Southeast University
    93600
    guansheng2023-05-22 13:50
  • 鎵敏光電董事長、南京
    氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用陸海鎵敏光電董事長、南京大學(xué)教授LU HaiProfessor of Nanjing University
    105800
    guansheng2023-05-19 12:02
  • 臺達(dá)電子董慨：碳化硅
    碳化硅及氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心AC-DC電源上的應(yīng)用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達(dá)電子高階客制電源事業(yè)部中國區(qū)總監(jiān)Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
    113300
    guansheng2023-05-19 09:03
  • 復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于
    基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復(fù)旦大學(xué)Yuan-Lan ZHANGFudan University
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    limit2022-05-01 20:24
  • 啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕
    第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應(yīng)喜蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    76500
    limit2022-05-01 17:19
  • 美國俄亥俄州立大學(xué)教
    碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
    67200
    limit2022-05-01 09:55
  • Victor VELIADIS：碳
    碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、北卡羅萊納州立大學(xué)教授
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    limit2022-05-01 09:46
  • 視頻報告 2017---功率
    美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發(fā)展動態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)
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    limit2021-04-29 12:39
  • 【視頻報告 2018】株
    株洲中車時代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機(jī)平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報告；
    157100
    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報告；
    124700
    limit2021-04-29 12:26
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