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加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業化發展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國PowerAmerica執行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban

大直徑碳化硅外延市場發展與挑戰Development and Challenges of Large Diameter Silicon Carbide Epitaxial張國良河北普興電子科技股份有限公司市場總監ZHANG GuoliangMarketing Director of Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD

碳化硅單晶缺陷研究及產業化進展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝東浙江大學教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University

碳化硅產業的機遇與挑戰周曉陽廣東芯聚能半導體有限公司總裁

安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發展的助推器王駿躍安世半導體中國區SiC戰略及業務負責人

SiC MOS在新能源汽車充電樁中的技術進展及應用田亮南瑞聯研半導體有限責任公司碳化硅產品線負責人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd

電熱應力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress劉斯揚東南大學教授LIU SiyangProfessor of Southeast University

氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術與產業化應用陸海鎵敏光電董事長、南京大學教授LU HaiProfessor of Nanjing University

碳化硅及氮化鎵功率器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達電子高階客制電源事業部中國區總監Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics

基于P區反序摻雜策略的高效碳化硅結勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復旦大學Yuan-Lan ZHANGFudan University

第三代半導體碳化硅器件產業化關鍵技術及發展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應喜蕪湖啟迪半導體有限公司研發總監NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow

碳化硅大規模商業化：現狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國電力首席執行官兼首席技術官、北卡羅萊納州立大學教授

株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業部副總經理研發中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；

瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制》技術報告；

高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。

美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩健性》；

矩陣轉換器被認為是一種最優異的交流-交流功率轉換結構，因為其主要依賴于雙向開關而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉換效率，而且可以突破傳統的通用逆變器所存在的開關切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉換器的重大發展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉

河北工業大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結果。 研究通過極化調制、摻雜調控等手段適當調節載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統探究了各種