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西安電子科技大學副校
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西安電子科技大學副校
高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進成西安電子科技大學副校長、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University
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IFWS2025-01-09 15:50
西安電子科技大學教授
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西安電子科技大學教授
AlN基高壓高頻功率器件研究進展及挑戰Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安電子科技大學教授ZHOUHongProfessor at Xidian University
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IFWS2025-01-09 14:43
西安電子科技大學王鵬
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西安電子科技大學王鵬
雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學Wang PengfeiXidian University
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guansheng2023-05-22 15:22
電子科技大學博士陳匡
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電子科技大學博士陳匡
p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
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guansheng2023-05-22 15:02
南方科技大學深港微電
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南方科技大學深港微電
Si基GaN器件及系統研究與產業前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大學深港微電子學院院長、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology
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guansheng2023-05-22 14:57
一徑科技副總裁邵嘉平
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一徑科技副總裁邵嘉平
車載 MEMS 激光雷達解決方案及量產落地之最新進展The latest progress for automotive grade MEMS LiDAR mass production and application solutions邵嘉平北京一徑科技有限公司副總裁SHAO JiapingVice President of ZVISION Technologies Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 14:26
西安電子科技大學副教
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西安電子科技大學副教
SiC等離子體波脈沖功率器件與應用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孫樂嘉西安電子科技大學副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University
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guansheng2023-05-22 13:53
仕佳光子科技有源產品
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仕佳光子科技有源產品
激光雷達用的1550nm磷化銦半導體激光器1550 nm InP semiconductor laser for lidar黃永光河南仕佳光子科技股份有限公司有源產品技術總監,中科院半導體所研究員HUANG YongguangTechnical Director of Henan Shijia Photons Technology Co., Ltd., Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 10:43
香港科技大學副教授黃
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香港科技大學副教授黃
橫向和縱向-Ga2O3功率MOSFET的十年進展A Decade of Advances in Lateral and Vertical -Ga2O3 Power MOSFETs黃文海香港科技大學副教授Man Hoi WONGAssociate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
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guansheng2023-05-19 14:45
西安電子科技大學張金
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西安電子科技大學張金
MPCVD法金剛石同質外延生長及MOS器件技術Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology張金風西安電子科技大學教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University
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guansheng2023-05-19 14:40
西安電子科技大學韓根
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西安電子科技大學韓根
氧化鎵異質結功率晶體管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韓根全西安電子科技大學教授HAN GenquanProfessor of Xidian University
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guansheng2023-05-19 14:19
沙特阿卜杜拉國王科技
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沙特阿卜杜拉國王科技
面向柔性和垂直電子器件的外延氧化鎵薄膜Epitaxial Ga2O3 thin film membrane for flexible and vertical electronics李曉航沙特阿卜杜拉國王科技大學副教授（陸義代講）LI XiaohangAssociate Professor at King Abdullah University of ScienceTechnology
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guansheng2023-05-19 14:15
西安電子科技大學周弘
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西安電子科技大學周弘
氧化鎵功率器件耐壓和功率優值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices張進成西安電子科技大學副校長、教授（團隊代講）
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guansheng2023-05-19 14:08
中國電子科技集團首席
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中國電子科技集團首席
SiC功率MOSFET技術及應用進展柏松中國電子科技集團首席專家、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
215000
guansheng2023-05-19 09:39
上海科技大學信息學院
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上海科技大學信息學院
基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術王浩宇上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
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guansheng2023-05-19 09:09
錦浪科技技術研究中心
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錦浪科技技術研究中心
SiC功率器件在光伏逆變器中的應用進展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術研究中心總監LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
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guansheng2023-05-19 09:07
納維科技總經理王建峰
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納維科技總經理王建峰
應用于垂直器件的高電導率GaN單晶襯底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰蘇州納維科技有限公司總經理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
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guansheng2023-05-18 16:16
西安電子科技大學微電
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西安電子科技大學微電
SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學微電子學院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
67400
limit2022-05-01 17:18
欣銳科技董事長吳壬華
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欣銳科技董事長吳壬華
SiC器件在新能源汽車產業中的應用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吳壬華深圳欣銳科技股份有限公司董事長WURenhuaChairofthe Board, SHINRY
57800
limit2022-05-01 09:54
【視頻報告 2018】西
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【視頻報告 2018】西
西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大
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limit2021-04-29 12:21

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