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基于P區反序摻雜策略的高效碳化硅結勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復旦大學Yuan-Lan ZHANGFudan University

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天

中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產的一些器件在能源使用中發揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應用領域，包括高鐵和智能電網等，硅仍然是主導材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。