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【極智課堂】西安電子
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【極智課堂】西安電子
西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說(shuō)，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長(zhǎng)方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長(zhǎng)方法。她表示，實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻
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limit2020-02-01 16:23
日本國(guó)立佐賀大學(xué)電氣
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日本國(guó)立佐賀大學(xué)電氣
日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來(lái)了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長(zhǎng)和特性的主題報(bào)告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)和特性。通過(guò)對(duì)于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動(dòng)電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時(shí)，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的
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limit2020-02-01 16:22
鍇威特總裁丁國(guó)華：自
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鍇威特總裁丁國(guó)華：自
蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司董事長(zhǎng)丁國(guó)華分享：《自主創(chuàng)芯助力中國(guó)工業(yè)4.0》暨SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)布！
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limit2020-02-01 16:22
鍇威特研發(fā)副總譚在超
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鍇威特研發(fā)副總譚在超
蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)副總譚在超《SiC MOSFET的產(chǎn)品特征及在電力電子的應(yīng)用機(jī)遇》
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limit2020-02-01 16:21
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世
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中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世
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limit2020-02-01 10:50
芯謀研究總監(jiān)李國(guó)強(qiáng)：
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芯謀研究總監(jiān)李國(guó)強(qiáng)：
芯謀研究總監(jiān)李國(guó)強(qiáng)：功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)分析
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limit2020-02-01 10:39
西安電子科技大學(xué)微電
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西安電子科技大學(xué)微電
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長(zhǎng)張玉明：SiC MOSFET高閾值的實(shí)現(xiàn)及給應(yīng)用帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)
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limit2020-02-01 10:36
加拿大多倫多大學(xué)教授
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加拿大多倫多大學(xué)教授
加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了《用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片》研究報(bào)告。吳偉東，多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工
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limit2020-01-28 12:45
美國(guó)NAURA-Akrion, In
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美國(guó)NAURA-Akrion, In
美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官I(mǎi)smail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對(duì)惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對(duì)于襯底的選擇性。對(duì)于過(guò)去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因?yàn)槠浠瘜W(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型
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limit2019-12-31 13:02
德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公
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德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公
德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC分享了化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案，討論6英寸到8英寸的GaAs VCSEL激光器、GaN/InGaAs Mi
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limit2019-12-31 12:42
荷蘭代爾夫特理工大學(xué)
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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)
荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA帶來(lái)了題為寬禁帶功率半導(dǎo)體國(guó)際技術(shù)路線圖的精彩報(bào)告，介紹了寬禁帶功率半導(dǎo)體國(guó)際技
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limit2019-12-31 12:41
瑞典隆德大學(xué)教授Lars
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瑞典隆德大學(xué)教授Lars
瑞典隆德大學(xué)教授、瑞典皇家科學(xué)院院士、Glo AB創(chuàng)始人Lars SAMUELSON帶來(lái)了題為針對(duì)MicroLED和自形成光子結(jié)構(gòu)的納米線應(yīng)用的精彩
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limit2019-12-31 12:40
英諾賽科科技有限公司
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英諾賽科科技有限公司
英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
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limit2019-12-31 12:38
加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)
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加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)
加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設(shè)計(jì)和TCAD模擬》研究報(bào)告。早年經(jīng)華人諾獎(jiǎng)得主李政道博
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limit2019-12-30 13:04
英諾賽科研發(fā)中心副總
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英諾賽科研發(fā)中心副總
英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告
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limit2019-12-30 13:03
日本德島大學(xué)教授敖金
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日本德島大學(xué)教授敖金
日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢
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limit2019-12-29 13:00
美的集團(tuán)林世紅：紫外
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美的集團(tuán)林世紅：紫外
美的集團(tuán)林世紅：紫外LED在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展及面臨問(wèn)題
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limit2019-05-31 17:39
杭州慧億科技孟楠：UV
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杭州慧億科技孟楠：UV
杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優(yōu)化設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
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limit2019-05-31 17:34
湖北深紫科技陳景文：
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湖北深紫科技陳景文：
湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設(shè)計(jì)
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limit2019-05-31 17:26
長(zhǎng)治市第三代半導(dǎo)體紫
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長(zhǎng)治市第三代半導(dǎo)體紫
《長(zhǎng)治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2019-2023）》（下稱規(guī)劃）正式發(fā)布。《規(guī)劃》結(jié)合當(dāng)前節(jié)能環(huán)保紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
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limit2019-05-31 17:24