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用于病毒滅活的藍寶石生長230nm遠紫外光功率模組的開發研究Development of 230 nm Far-UVC LED Power Module Grown on c-Sapphire for Human Harmless Virus Inactivation平山秀樹日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMAProfessor ofRIkagaku KENkyusho Institute of Physical and Chemical Research(RIKEN),Japan

集成反射器的封裝技術用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors胡曉東德國MSG Lithoglas GmbH亞太地區總監HU XiaodongDirector of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany

大功率深紫外LED產業化關鍵技術探討閆建昌山西中科潞安紫外光電技術有限公司總經理YAN JianchangGeneral Manager of Advanced Ultraviolet Optoelectronics Co., Ltd.

報告嘉賓：蘇州晶湛半導體有限公司市場總監朱丹丹博士 報告主題：《針對大功率應用的硅基氮化鎵技術》

作為基礎材料，熒光粉的技術水平與半導體照明發展密切相關，有研稀土新材料股份有限公司副總經理、教授級高級工程師劉榮輝分享了大功率照明用熒光材料研發進展。 當前，LED照明光源呈現出朝著大電流密度、高光效方向發展，第三代半導體照明向著高能、短波特性方向發展等趨勢，現有大功率照明存在著結溫高、散熱量大，結溫高降低產品使用壽命，溫度高熒光粉量子效率降低，溫度高硅膠熱應力增大、折射率降低等問題，可以通過熒光粉料

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰

北京工業大學光電子技術省部共建教育部重點阿實驗室教授郭偉玲分享了光功率計算對LED熱阻測試的影響主題報告。她表示，熱阻是衡量LED性能的重要參數，在LED熱阻測試中，其電能不僅轉化成熱能，還有20%或更多的能量轉化為光能。而目前大部分的熱阻測試儀并非專門為測試LED設計，且對是否計算光耗散功率的標準并不統一。　　通過標準電學參數法分別對不同封裝（仿流明，SMD2835，XB-D封裝）相同輸出功率（1W）的正裝LED；相同封裝（S