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提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉剛南京大學電子科學與工程學院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

集成反射器的封裝技術用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors胡曉東德國MSG Lithoglas GmbH亞太地區(qū)總監(jiān)HU XiaodongDirector of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany

俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復合引起的效率下降和表面復合成為限制器件性能的主要因素。特別是當器件尺寸減小時，表面復合導致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點。通常，-LED的