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基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光發(fā)射調(diào)控Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices高娜廈門大學(xué)副教授GAO NaAssociate Professor of Xiamen University

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大學(xué)教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

　江蘇大學(xué)左然教授分享了《AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)機理的量子化學(xué)計算》研究報告。他介紹到，課題組利用量子化學(xué)的密度泛函

廈門大學(xué)高娜帶來了題為可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長的主題報告，從晶體生長熱力學(xué)角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)