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周玉剛：基于Ag、Mg金
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周玉剛：基于Ag、Mg金
《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應(yīng)用》作者：周玉剛，潘賽，郭焱，金楠，許朝軍，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 11:46
蔡端俊：氫元素對深紫
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蔡端俊：氫元素對深紫
《氫元素對深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩強，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 11:45
胡安琪：高靈敏石墨烯
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胡安琪：高靈敏石墨烯
《高靈敏石墨烯氮化鎵探測器》作者：胡安琪, 郭霞單位：北京郵電大學(xué)
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limit2022-01-06 10:46
蔣科：寬禁帶氮化物半
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蔣科：寬禁帶氮化物半
《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所，中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心
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limit2022-01-06 10:45
孫海定：AlGaN基紫外
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孫海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學(xué)光探測器研究進展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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limit2022-01-06 10:30
吳雅蘋：氮化物半導(dǎo)體
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吳雅蘋：氮化物半導(dǎo)體
《氮化物半導(dǎo)體自旋調(diào)控及其器件應(yīng)用》作者：吳雅蘋，宋安柯，吳啟鵬，林滌，李煦，吳志明，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理系
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limit2022-01-06 10:27
劉清：基于SiC厚膜的
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劉清：基于SiC厚膜的
《基于SiC厚膜的極低漏電高靈敏度室溫軟X射線探測器》作者：劉清，徐尉宗，羊群思，周東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，江蘇省光電信息功能材料重點實驗室
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limit2022-01-06 10:17
李強：hBN薄膜的磁控
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李強：hBN薄膜的磁控
《hBN薄膜的磁控濺射制備及器件應(yīng)用》作者：李強，張啟凡，張浩然，王茗迪，云峰單位：西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 10:12
李萬俊：超寬帶隙氧化
2200
李萬俊：超寬帶隙氧化
《超寬帶隙氧化鎵材料及其日盲深紫外探測器研究》作者：李萬俊，劉浩文，周樹仁，黃利娟，胡鄭蕊，張紅，熊元強，李泓霖，葉利娟單位：重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院，光電功能材料重慶市重點實驗室
22000
limit2022-01-06 10:08
歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
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歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
《異質(zhì)集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，西安電子科技大學(xué)
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limit2022-01-05 17:43
方志來：P型氮摻雜β-
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方志來：P型氮摻雜β-
《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院，復(fù)旦大學(xué)光電研究院，工程與應(yīng)用技術(shù)研究院
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limit2022-01-05 17:41
黃洪：單晶氧化鎵深紫
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黃洪：單晶氧化鎵深紫
《單晶氧化鎵深紫外探測器》作者：趙曉龍，穆文祥，賈志泰，徐光偉，胡芹，黃洪，陶緒堂，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)，山東大學(xué)
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limit2022-01-05 17:38
黎明鍇：基于二氧化錫
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黎明鍇：基于二氧化錫
《基于二氧化錫的紫外光電探測器研究》作者：黎明鍇，劉伯涵，肖興林，魏皓然，劉鳳新，李強，張興業(yè)，陳粵，何云斌單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-05 17:27
吳征遠：極高響應(yīng)度與
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吳征遠：極高響應(yīng)度與
《極高響應(yīng)度與增益帶寬積的p型氧化鎵日盲探測器》作者：吳征遠，蔣卓汛，馬聰聰，張浩，葉建東，張國旗，康俊勇，張統(tǒng)一，方志來單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院、工程與應(yīng)用技術(shù)研究院、南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院上海大學(xué)材料基因組工程研究院
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limit2022-01-05 17:22
程其進：氧化鎵基日盲
2480
程其進：氧化鎵基日盲
《氧化鎵基日盲紫外光電探測器的制備及特性研究》作者：程其進，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，廈門大學(xué)化學(xué)與化學(xué)學(xué)院
24800
limit2022-01-05 17:20
龍世兵：超寬禁帶氧化
3430
龍世兵：超寬禁帶氧化
《超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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limit2022-01-05 17:12
袁昊：萬伏級4H-SiC基
2190
袁昊：萬伏級4H-SiC基
《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設(shè)計與制備技術(shù)》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學(xué)，中國人民解放軍空軍工程大學(xué)
21900
limit2022-01-05 17:00
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
4470
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
44700
limit2022-01-05 16:58
朱廣潤：微波毫米波器
2330
朱廣潤：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新進展》作者：張凱，朱廣潤，代鯤鵬，賈晨陽，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
23300
limit2022-01-05 16:51
劉建勛：大尺寸硅基Ga
2680
劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
26800
limit2022-01-05 16:49