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Jiaying Shen: Band o
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Jiaying Shen: Band o
Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
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limit2022-01-07 15:01
張文輝：升華法生長β
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張文輝：升華法生長β
《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 15:00
穆文祥：氧化鎵單晶生
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穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 14:58
湯瀟：全溶液法沉積柔
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湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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limit2022-01-07 14:57
張逸韻：高溫氣氛退火
890
張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-07 14:21
張輝：氧化鎵晶體的生
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張輝：氧化鎵晶體的生
《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心
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limit2022-01-07 14:18
唐寧：氮化鎵量子阱中
1740
唐寧：氮化鎵量子阱中
《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張?jiān)品v，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 14:16
徐童齡：基于NiO/β-
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徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
6800
limit2022-01-07 13:50
葉建東：氧化鎵基雙極
3590
葉建東：氧化鎵基雙極
《氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
35900
limit2022-01-07 11:41
詹騰：金屬氧化物/AlG
1470
詹騰：金屬氧化物/AlG
《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝啵顣x閩單位：中國科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)
14700
limit2022-01-07 08:57
張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
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張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國，程倩，馮倩，張雅超，張進(jìn)成單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-06 11:39
李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
2200
李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
22000
limit2022-01-06 11:09
張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
320
張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長與異質(zhì)集成》作者：張文瑞單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
3200
limit2022-01-06 10:26
李萬俊：超寬帶隙氧化
2200
李萬俊：超寬帶隙氧化
《超寬帶隙氧化鎵材料及其日盲深紫外探測器研究》作者：李萬俊，劉浩文，周樹仁，黃利娟，胡鄭蕊，張紅，熊元強(qiáng)，李泓霖，葉利娟單位：重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院，光電功能材料重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
22000
limit2022-01-06 10:08
歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
1770
歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
《異質(zhì)集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，西安電子科技大學(xué)
17700
limit2022-01-05 17:43
方志來：P型氮摻雜β-
2890
方志來：P型氮摻雜β-
《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院，復(fù)旦大學(xué)光電研究院，工程與應(yīng)用技術(shù)研究院
28900
limit2022-01-05 17:41
黃洪：單晶氧化鎵深紫
3140
黃洪：單晶氧化鎵深紫
《單晶氧化鎵深紫外探測器》作者：趙曉龍，穆文祥，賈志泰，徐光偉，胡芹，黃洪，陶緒堂，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)，山東大學(xué)
31400
limit2022-01-05 17:38
黎明鍇：基于二氧化錫
2370
黎明鍇：基于二氧化錫
《基于二氧化錫的紫外光電探測器研究》作者：黎明鍇，劉伯涵，肖興林，魏皓然，劉鳳新，李強(qiáng)，張興業(yè)，陳粵，何云斌單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
23700
limit2022-01-05 17:27
吳征遠(yuǎn)：極高響應(yīng)度與
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吳征遠(yuǎn)：極高響應(yīng)度與
《極高響應(yīng)度與增益帶寬積的p型氧化鎵日盲探測器》作者：吳征遠(yuǎn)，蔣卓汛，馬聰聰，張浩，葉建東，張國旗，康俊勇，張統(tǒng)一，方志來單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院、工程與應(yīng)用技術(shù)研究院、南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院上海大學(xué)材料基因組工程研究院
18100
limit2022-01-05 17:22
程其進(jìn)：氧化鎵基日盲
2480
程其進(jìn)：氧化鎵基日盲
《氧化鎵基日盲紫外光電探測器的制備及特性研究》作者：程其進(jìn)，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，廈門大學(xué)化學(xué)與化學(xué)學(xué)院
24800
limit2022-01-05 17:20