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《碳化硅單晶襯底的研究進展及發展趨勢》徐現剛 教授 山東大學

Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications

《碳化硅溝槽刻蝕技術研究進展》作者：吳帆正樹，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍，張園覽單位：復旦大學工程與應用技術研究院超越照明研究所

《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院

《基于牛眼結構微腔的碳化硅單光子發射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學深圳研究院，南京大學電子科學與工程學院

《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學電子科學與技術學院（國家示范性微電子學院）微電子與集成電路系，廈門大學物理科學與技術學院物理系

《低硅三甲基鋁產品的開發》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司

《半導體碳化硅材料中位錯的基本性質研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學杭州國際科創中心，浙江大學硅材料國家重點實驗室和材料科學與工程學院

《半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室

《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室

《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，中國科學技術大學納米技術與納米仿生學院

《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所