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《新型 Micro-LED 在顯示與通信領域的應用》郭浩中 教授 臺灣交通大學

《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科 研究員 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件若干新進展 郝躍 院士 西安電子科技大學

《寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

《利用ALD技術改善mini-LED的光電與通信性能》作者：盧霆威，賴壽強，潘建華，陳金蘭，黃岳，葉方順，郭浩中，陳忠，吳挺竹 單位：廈門大學電子科學系，臺灣陽明交通大學光電工程學系

《基于Micro-LED陣列的水下雙工可見光通信及水下充電系統》作者：林潤澤，崔旭高，田朋飛單位：復旦大學信息科學與工程學院

《高性能深紫外UVC-LED研發及應用產業化》作者：陳景文，吳峰，戴江南，陳長清單位：武漢光電國家研究中心，華中科技大學，湖北深紫科技有限公司

《III族氮化物極性調控在光電子及電力電子器件中的新應用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學院寧波材料技術與工程研究所，廈門大學

《一維ZnGa2O4納米線網薄膜材料橫向制備及其光電響應研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強單位：中國科學院重慶綠色智能技術研究院

Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications

《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學微電子學院

《基于MPCVD法異質外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室，南京大學電子科學與工程學院，廈門大學

《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學晶體材料國家重點實驗室

《全溶液法沉積柔性摻雜可調控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia

《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學，中國科學院半導體研究所

《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術學院，東華理工大學

《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室，浙江大學杭州國際科創中心

《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張云帆，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室

《基于NiO/- Ga2O3異質pn結的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學電子與信息工程學院光電材料與技術國家重點實驗室

《基于脈沖信號導通延遲的SiC MOSFET結溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業大學