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周玉剛：基于Ag、Mg金
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周玉剛：基于Ag、Mg金
《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應(yīng)用》作者：周玉剛，潘賽，郭焱，金楠，許朝軍，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 11:46
蔡端俊：氫元素對(duì)深紫
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蔡端俊：氫元素對(duì)深紫
《氫元素對(duì)深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩強(qiáng)，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 11:45
閆建昌：AlGaN基紫外L
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閆建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
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limit2022-01-06 11:41
張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
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張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國(guó)，程倩，馮倩，張雅超，張進(jìn)成單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-06 11:39
李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
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李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 11:09
金雷:PVT法AlN單晶生
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金雷:PVT法AlN單晶生
《PVT法AlN單晶生長(zhǎng)機(jī)理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學(xué)，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
劉強(qiáng)：Carbon doping
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劉強(qiáng)：Carbon doping
Carbon doping with CH4 in HVPEAuthor: Qiang Liu, Shuai Wang, Run Chen, Junjie Ren, Luo Li, Meimei Liu, Hongchun Ma, Genquan LvInstitute: Sino-Nitride Semiconductor Co. Ltd, Peking University
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limit2022-01-06 11:05
張紀(jì)才：半極性AlN材
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張紀(jì)才：半極性AlN材
《半極性AlN材料的HVPE生長(zhǎng)研究》作者：張紀(jì)才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 11:04
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
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吳亮：PVT法同質(zhì)外延
《PVT法同質(zhì)外延生長(zhǎng)高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚(yáng)，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
楊敏：低硅三甲基鋁產(chǎn)
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楊敏：低硅三甲基鋁產(chǎn)
《低硅三甲基鋁產(chǎn)品的開發(fā)》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司
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limit2022-01-06 10:59
屈媛：半導(dǎo)體核殼納米
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屈媛：半導(dǎo)體核殼納米
《半導(dǎo)體核殼納米線中光學(xué)聲子的截面形狀調(diào)制》作者：薛忠賢，屈媛，班士良單位：內(nèi)蒙古大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 10:57
余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
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余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
《面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長(zhǎng)研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張?jiān)礉龁挝唬杭执髮W(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 10:56
黃華洋：C-Related De
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黃華洋：C-Related De
C-Related Deep Donor in P-Type GaNAuthor: Huayang Huang, Xuelin Yang,Zeming Qi, Shan Wu, Zhaohua Shen, Danshuo Liu,Fujun Xu, Ning Tang, Xinqiang Wang, Weikun Ge and Bo ShenInstitute: Peking University, University of Science and Technology of China, Collaborative Innovation Center of Quantum Matter
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limit2022-01-06 10:54
張皇澍：A quantitati
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張皇澍：A quantitati
A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si作者：李孟達(dá)，張皇澍，楊志堅(jiān)，吳潔君，于彤軍單位：北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心
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limit2022-01-06 10:53
王宏躍：Investigatio
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王宏躍：Investigatio
Investigation of Defect Characteristics in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration作者：王宏躍，許實(shí)清，周斌，施宜軍，付志偉，陳思，路國(guó)光，黃云，王金延單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所，北京大學(xué)
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limit2022-01-06 10:51
劉志強(qiáng)：氮化物“異構(gòu)
1980
劉志強(qiáng)：氮化物“異構(gòu)
《氮化物異構(gòu)外延》作者：劉志強(qiáng)，高鵬，伊?xí)匝啵Z建昌，魏同波，王軍喜，劉忠范，李晉閩單位：中科院半導(dǎo)體所，北京大學(xué)，北京石墨烯研究院
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limit2022-01-06 10:50
王新強(qiáng)：二維材料上氮
2730
王新強(qiáng)：二維材料上氮
《二維材料上氮化物半導(dǎo)體準(zhǔn)范德華外延界面調(diào)控研究》作者：劉放，王濤，張智宏，申彤，楊懷遠(yuǎn)，盛博文，榮新，陳兆營(yíng)，劉開輝，李新征，沈波，王新強(qiáng)單位：北京大學(xué)
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limit2022-01-06 10:48
胡安琪：高靈敏石墨烯
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胡安琪：高靈敏石墨烯
《高靈敏石墨烯氮化鎵探測(cè)器》作者：胡安琪, 郭霞單位：北京郵電大學(xué)
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limit2022-01-06 10:46
蔣科：寬禁帶氮化物半
580
蔣科：寬禁帶氮化物半
《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測(cè)器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心
5800
limit2022-01-06 10:45
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
1780
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學(xué)微電子與集成電路系微納光電子研究室
17800
limit2022-01-06 10:43