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以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質量、低成本的同質GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質外延，特別是大失配異質外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分

主題對話環節，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業界中青代骨干

n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質外延焦騰，陳威，李政達，刁肇悌，黨新明，陳沛然，董鑫*吉林大學

基于金屬有機化學氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質外延及其在場效應晶體管中的應用王鋼*，陳偉驅，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學

氧空位在異質外延-Ga2O3薄膜MSM型光電探測器中的影響許銳，馬曉翠，梅洋，應磊瑩，張保平*，龍浩*廈門大學

GaN基Micro-LED同質外延及其性能表征王國斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導體研究院有限公司中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司