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半導(dǎo)體激光器的理論和實(shí)踐都取得巨大成果。近年來(lái),GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢(shì)，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問(wèn)題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報(bào)告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報(bào)告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長(zhǎng)及性能研究穆文祥，李陽(yáng)，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)

基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)