極智報告|中國電子科中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態電子器件、先進半導體材料與器件。
其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低
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