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基于納米壓印全生態(tài)產(chǎn)業(yè)平臺(tái)的微納光學(xué)器件制造Manufacturing of Micro and Nano Optical Devices Based on Nanoimprint Eco-industrial Platform羅剛材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室研究員、蘇州新維度微納科技有限公司創(chuàng)始人LUO GangProfessor of Gusu Lab, Founderof NDnano

硅晶圓廠中的SiC制造SiC Fabrication in a Silicon FabVictor VELIADIS美國(guó)電力執(zhí)行董事 CTO、ICSCRM2024大會(huì)主席、北卡羅來(lái)納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席Victor VELIADISExecutive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW

異質(zhì)集成氮化鎵功率模塊的量產(chǎn)制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實(shí)驗(yàn)室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)

SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment鞏小亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任Xiaoliang GONGDirector of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

耐高溫?zé)o機(jī)膠及白光/深紫外LED封裝研究Enhanced heat dissipation of high-power WLEDs through creation of 3D dams on ceramic substrate with geopolymer/graphene paste孫慶磊中國(guó)地質(zhì)大學(xué)（武漢）先進(jìn)制造中心副教授SUN QingleiAssociate Professor of Advanced Manufacturing Center of China University of Geosciences (Wuhan)

GaN/SiC功率器件在航天電源的應(yīng)用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬(wàn)成安北京衛(wèi)星制造廠有限公司領(lǐng)域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd

SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，愛(ài)思強(qiáng)的行星式反應(yīng)器平臺(tái)是生產(chǎn)具有最高一致性、重復(fù)性和缺陷控制標(biāo)準(zhǔn)的化合物半導(dǎo)體器件的已建立的平臺(tái)，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術(shù)，這是當(dāng)前高容量需求的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術(shù)：在低的缺陷水平下，結(jié)合外延層的高通量結(jié)構(gòu)具有非常高的精度。行星式反應(yīng)器平臺(tái)技術(shù)已經(jīng)被

美國(guó)維易科精密儀器有限公司市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)和MOCVD技術(shù)》報(bào)告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術(shù)，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅(jiān)固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點(diǎn)之一是制作復(fù)雜，這導(dǎo)致了較高的顯示成本。在嚴(yán)格堅(jiān)持目標(biāo)成本的同時(shí)，微型LED顯示屏優(yōu)秀性能和良率為其制造帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)。報(bào)告中提出，從外延和LE

佛山市國(guó)星光電股份有限公司植物照明項(xiàng)目負(fù)責(zé)人李宏浩介紹了《植物照明LED光源發(fā)展趨勢(shì)及其制造技術(shù)》研究報(bào)告。近些年，國(guó)星光電加大力度投入植物照明LED領(lǐng)域的技術(shù)研究和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，并與國(guó)內(nèi)外多家知名院校達(dá)成深度合作關(guān)系，取得了突破性的進(jìn)展。國(guó)星植物照明LED產(chǎn)品大大提升了產(chǎn)品的出光面積和空間分布均勻度，有效降低植物工廠同等面積下LED光照使用的成本；提高了單位面積光量子通量，滿(mǎn)足植物生長(zhǎng)特殊需求，切實(shí)解決客戶(hù)痛點(diǎn)

隨著半導(dǎo)體照明的發(fā)展，尤其是室內(nèi)照明的推進(jìn)，人們對(duì)其效率和顯色指數(shù)（Color rendering index, CRI）等品質(zhì)參數(shù)等提出了更高的要求。中南大學(xué)教授汪煉成做了題為設(shè)計(jì)制造復(fù)合金屬等離激元同時(shí)提高GaN LED效率和顯色指數(shù)研究的主題報(bào)告。汪煉成科研方向?yàn)榧蓪捊麕О雽?dǎo)體器件和系統(tǒng)，在GaN LED 方面有近10年科研經(jīng)歷，近5年以第一/通訊作者發(fā)表SCI論文40余篇，引用次數(shù)744次，申請(qǐng)專(zhuān)利38項(xiàng)，已授權(quán)13項(xiàng)，成功制備性能?chē)?guó)內(nèi)領(lǐng)先、

美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官I(mǎi)smail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對(duì)惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對(duì)于襯底的選擇性。對(duì)于過(guò)去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因?yàn)槠浠瘜W(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型

2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開(kāi)幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開(kāi)。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來(lái)自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報(bào)告。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢(shì)壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長(zhǎng)的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢(shì)壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

南京電子器件研究所黃潤(rùn)華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵點(diǎn)。他表示，未來(lái)的工作主要還是針對(duì)一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實(shí)現(xiàn)一個(gè)產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿(mǎn)足產(chǎn)品要求，未來(lái)就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進(jìn)行下一步的研究。再下一步要開(kāi)發(fā)三千三百伏到一萬(wàn)伏，爭(zhēng)取到五千伏的時(shí)候推出一些產(chǎn)品。