用于Micro LED芯片規模量產化的化學剝離生長襯底技術Chemical Peel Growth Substrate Technology for Mass Production of Micro LED Chips郝茂盛上海芯元基半導體科技有限公司總經理HAO MaoshengGeneral Manager of Shanghai Chipfoundation Semiconductor Technology Co., Ltd.
半導體行業對高純電子化學品質量管理的高要求High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor俞冬雷安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經理YU DongleiVice General Manager of Anhui Argosun?New Electronic Materials Co., Ltd
美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術的研究成果。在傳統的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發現碳化硅（SiC）因為其化學性質比較惰性已經可以作為傳統批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應用中可以使用典型
