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氨熱法氮化鎵單晶生長研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強(qiáng)中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)

《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室

《PVT法AlN單晶生長機(jī)理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學(xué)，中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

報告嘉賓：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產(chǎn)業(yè)進(jìn)展》