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應用于垂直器件的高電導率GaN單晶襯底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰蘇州納維科技有限公司總經理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd

常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生

《碳化硅單晶襯底的研究進展及發展趨勢》徐現剛 教授 山東大學

《高質量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波 教授 北京大學

奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰》。

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰