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【芯友薈】對話ULVAC集團執(zhí)行董事、中國區(qū)總裁楊秉君博士：詳解ULVAC強大實力與本土化策略，展望真空技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展新形勢、新未來！

p-GaN Gate HEMT器件閾值穩(wěn)定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學(xué)博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China

氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術(shù)研究Research on the breakdown theory and electric field homogenization technology of GaN-based Power Devices劉建華南京郵電大學(xué)博士

Mini/Micro-LED微顯示技術(shù)分析與應(yīng)用劉海坤博士TCL科技集團工業(yè)研究院

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大

有研稀土新材料股份有限公司馬小樂博士分享了全光譜LED照明用熒光粉現(xiàn)狀及趨勢。

GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字

華中科技大學(xué)博士謝斌，做了題為量子點LED封裝與熱管理的報告，從封裝層面提出量子點白光LED的熱管理方案，從而在保證光學(xué)性能的

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。

報告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場總監(jiān)朱丹丹博士 報告主題：《針對大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

報告嘉賓：西安唐晶量子科技有限公司 CEO龔平博士 報告主題：《5G/人工智能時代外延代工的機遇與挑戰(zhàn)》

化合物半導(dǎo)體是未來核心材料，市場逐步擴大，全球各大廠商都在布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領(lǐng)

西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》

晶科電子陳海英博士：技術(shù)工藝、標(biāo)準(zhǔn)制定與觀念接受是健康照明需要面對的挑戰(zhàn)

旭宇光電陳磊博士：前景看好，將深耕可見光全光譜 植物照明等細(xì)分領(lǐng)域

海雷特張哲綱博士，分享最新智能調(diào)光光源、照明控制系統(tǒng)、智能家居相關(guān)最新產(chǎn)品及新技術(shù)趨勢。

珠海雷特張哲綱博士：創(chuàng)新與升級，向前一步，保持核心競爭力

有研稀土劉榮輝博士在光亞展期間接受極智頭條專訪，現(xiàn)場分享了LED熒光粉發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展趨勢。他表示，雖然LED熒光粉發(fā)展速度放緩，但技術(shù)仍在進步。尤其在新型熒光粉研究方面，國際仍存挑戰(zhàn)。

對話內(nèi)容：Micro LED在今年吸引了大家的眼球，由于其優(yōu)良的光電學(xué)特性，Micro LED很有希挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LCD及OLED技術(shù)，掀起一場顯示器技術(shù)的革命。在2018年10月24日召開的ChinaSSL會議上，聯(lián)盟有幸采訪到來自德國愛思強的產(chǎn)品線總監(jiān)Jens Voigt博士。Voigt博士自2001年加入AIXTRON并擔(dān)任外延工藝科學(xué)家一職，主要負(fù)責(zé)氮化鎵MOCVD外延生長以滿足LED生產(chǎn)需求。他現(xiàn)任德國愛思強產(chǎn)品線總監(jiān)，負(fù)責(zé)MOCVD外延機臺的銷售，服務(wù)以及市場拓展工作。此次Voigt博士針對Mic

中智城信息技術(shù)有限公司的執(zhí)行董事楊方勤博士帶來的《淺談智慧照明系統(tǒng)如何滿足智慧城市用戶的切實需求》報告。就如報告題目所言，楊博士為業(yè)主考慮，真正從如何滿足城市用戶切實需求角度入手，提業(yè)主考慮，為業(yè)主分憂。