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深圳大學(xué)范澤龍:基于
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深圳大學(xué)范澤龍:基于
基于帶狀氮化鋁晶體真空紫外探測器研究范澤龍，武紅磊，孫振華深圳大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:17
南京大學(xué)王海萍:基于
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南京大學(xué)王海萍:基于
基于增強(qiáng)型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:16
華中科技大學(xué)吳峰:基
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華中科技大學(xué)吳峰:基
基于寬禁帶半導(dǎo)體的深紫外發(fā)光與探測器件研究吳峰*，戴江南，陳長清華中科技大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:13
太原理工大學(xué)崔艷霞:
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太原理工大學(xué)崔艷霞:
碳化硅基窄帶紫外光電探測器崔艷霞*，李夢輝，胡鯤，耿路路，潘登，李國輝，王文艷，許并社太原理工大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:05
北京大學(xué)孫棟: 基于拓
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北京大學(xué)孫棟: 基于拓
基于拓?fù)浒虢饘俚母咝阅芄怆娞綔y孫棟北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:04
江蘇第三代半導(dǎo)體研究
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江蘇第三代半導(dǎo)體研究
GaN基Micro-LED同質(zhì)外延及其性能表征王國斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司
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guansheng2022-09-01 11:36
南京大學(xué)莊喆：InGaN
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南京大學(xué)莊喆：InGaN
InGaN基紅光Micro-LED器件研究莊喆*，劉斌，張榮南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 11:34
清華大學(xué)汪萊：GaN基
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清華大學(xué)汪萊：GaN基
GaN基高速藍(lán)綠光Micro-LED研究進(jìn)展汪萊*，王磊，李振浩，郝智彪，羅毅清華大學(xué)
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guansheng2022-09-01 11:30
北京大學(xué)陳兆營：面向
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北京大學(xué)陳兆營：面向
面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強(qiáng)*北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 11:23
復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于
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復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于
基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復(fù)旦大學(xué)Yuan-Lan ZHANGFudan University
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limit2022-05-01 20:24
張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)
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張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)
基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用張榮教授廈門大學(xué)
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limit2022-01-10 13:09
黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
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黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
《GaN基增強(qiáng)型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
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limit2022-01-10 11:07
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
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梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-10 10:40
田朋飛：基于Micro-LE
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田朋飛：基于Micro-LE
《基于Micro-LED陣列的水下雙工可見光通信及水下充電系統(tǒng)》作者：林潤澤，崔旭高，田朋飛單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-10 10:26
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
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limit2022-01-07 14:59
徐童齡：基于NiO/β-
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徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國家重點實驗室
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limit2022-01-07 13:50
張亞民：基于脈沖信號
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張亞民：基于脈沖信號
《基于脈沖信號導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
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limit2022-01-07 13:49
陳鵬：GaN基肖特基功
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陳鵬：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展》作者：陳鵬單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 13:31
張昊宸：具有超高光響
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張昊宸：具有超高光響
《具有超高光響應(yīng)（3.6107 A/W）的AlGaN/GaN基光電三極管》作者：張昊宸，孫海定，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 13:29
吳千樹：肖特基p型柵
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吳千樹：肖特基p型柵
《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機(jī)理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠(yuǎn)，劉揚(yáng)單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所
23800
limit2022-01-07 11:51