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  • 極智報告|山東大學
    山東大學教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展的報告,分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實踐及成果。
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  • 極智報告|西安交通大
    西安交通大學教授王宏興做了關于微機電系統單晶金剛石微結構制備的報告。
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  • 極智報告|山東大學
    山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋做了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術的介紹,分享了單晶金剛石生產技術方面的工作及成果。
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  • 極智報告|復旦大學
    復旦大學的副教授田朋飛則帶來了“基于微LED與鈣鈦礦量子點結合的高帶寬白光通信系統”報告。他表示,可見光通信是一種先進的無線通信技術,它可以將固態照明和光通信結合在一起。由大尺寸的藍光LED和黃色熒光粉組成的白光LED是常用的固態照明光源,但是黃色熒光粉的調制帶寬很低,限制了白光LED的最高數據通信速率,因而需要發展新型高帶寬白光LED。他介紹了一種新型高帶寬白光系統,使用藍光氮化鎵基霯ED來激發具有黃色發光光譜的鈣鈦礦量子點CsPbBr1.8I1.2來實現高速實時可見光通信。
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  • 極智報告|蘇州大學
    蘇州大學功能納米與軟物質研究院教授馮敏強在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應用,并從材料、合成器件的研究,把OLED的效率提高。
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  • 極智報告|耶魯大學
    耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示,我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層,通過4~5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率,并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子,使得閾值材料gain降低至400cm-1,比之前報道的低了二倍,表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時,我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中,實現了光激射的VCSE
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  • 極智報告|瑞典查爾姆
    瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展,讓與會代表拍手稱贊! 石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的,且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此,化學氣相沉積(CVD)在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來,在Chalmers我們已經在金屬箔(Cu,Pt,Ta等)上生長了單層石墨烯,在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物,石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層,石墨烯可以轉移到
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  • 極智報告|中國農業大
    中國農業大學水利與土木工程學院教授賀冬仙做了關于光強和LED光譜對水培菠菜生長及品質影響的報告。賀冬仙近10年來,以第一作者/通訊作者發表SCI/EI論文15篇,主持50萬元以上的國家/省部級科研課題9項。取得授權發明專利7項、實用新型6項和軟件著作權9項。她的創新性成果及其學術價值包括:(1)圍繞珍稀瀕危藥用鐵皮石斛開展了10多年以上光合生理研究,從氣體交換、電子傳遞、氣孔運動方面確立了CAM植物的環境生理研究方法,可擴展到石斛屬、蘭科植物和其他藥用植物研究。(2)攻克了高光效人工光源、嵌入式組態化環境
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  • 極智報告|英國布里斯
    英國布里斯托大學教授Martin KUBALL做了關于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術的報告,具體介紹了該技術的研究背景,并結合相關數據,介紹了該技術的研究成果,及未來的一些應用領域。 其中,Martin KUBALL表示氮化鎵的發展勢頭很強勁,當前,通訊、雷達等應用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎上的,隨著數據化的發展,需要的能量越來越多,而碳化硅上的氮化鎵也會有局限,開發金剛石襯底是一個不錯的嘗試。Martin KUBALL詳細分享了當前開發GaN-on-Diamon
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  • 極智報告|西安電子科
    西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。
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  • 極智報告|廣西大學
    廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結構特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結構,多孔硅,碳化硅,III族氮化物(3本),氧化鋅,固態照明及LED 領域的11-本英文專著,
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  • 極智報告|鄭州大學
    鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新介紹了高質量金剛石的CVD生長。金剛石是自然界產生的最堅硬的一種材料,因為它極高的硬度,一直被當做是打磨的工具,切割的工具等,在不同的方面都有應用,日常生活以及工業生產中都能用到金剛石。除了高硬度以外,金剛石還有很多其他獨特的特點,很適合當做半導體材料,比如非常高的帶隙、電壓、非常高的熱傳導性等,這些特點使得金剛石一直被認為是重要的,也是非常有潛力的下一代半導體器件的原料。把金剛石材料轉變成金剛石器件還有很長的路要走,也需要很多高品質的材料,這是非常基本的一步。
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  • 極智報告|中國農業大
    中國農業大學童勤分享了通過綠光LED調節雞蛋孵化研究報告。
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  • 極智報告|北京大學
    北京大學東莞光電研究院生物光環境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農業生產中的應用主題報告。
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  • 極智報告|南方科技大
    南方科技大學副教授劉召軍在分享“可編程有源矩陣Micro-LED顯示器的設計與制作”報告中表示,Micro-LED還可以被用于微型投影儀,不僅所需光路簡單還可以大大提高整個系統的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件應用中也炙手可熱,適用于低功耗高亮度大視角的頭戴式眼鏡等應用場景。此外,基于氮化鎵材料的Micro-LED在多種極端環境下依然能保持高度穩定性和可靠性,這使得其在特種應用方面前景更加廣闊。劉教授重點對介紹了 Micro-LED的電學特性和最優化設計; 電流控制電流源設計架構的有源選址Micr
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  • 極智報告|日本大阪大
    該視頻為:日本大阪大學助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應力連接技術》報告。為SiC芯片的鍵合,研究了一種燒結微孔和鎢(W)薄膜的夾層結構。芯片粘連層被設計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度,從而實現低應力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm,而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強度高達60Mpa,1000次熱循環(-50-250 ℃)后仍然大于30MPa。此燒結技術最有希望應用于高溫工作的低應力的SiC功率模塊。 第三代半導體材料主要包
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  • 極智報告|北京大學
    北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術,在 優化的HEMT結構上實現了高性能的增強型GaN MOSHEMT。
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  • 極智報告|臺灣大學
    SSLCHINA 2017之“生物農業光照技術”分會上,臺灣大學教授、臺灣植物工廠首席專家方煒介紹了用于高附加值作物生產的人工光植物工廠。他表示,植物工廠有很高的發展潛力,LED可以讓植物工廠發展的更好。
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  • 極智報告|英國布魯內
    英國布魯內爾倫敦大學的John COSMAS教授,分享了“超市5G網絡Radio Light服務”報告。 他對寬帶家庭網絡解決方案以及用于超市的5G無線網絡照明服務應用的主要市場趨勢和需求做了介紹。5G無線光網絡(輸入/輸出寄存器裝入)超市,可以很容易地部署,因為它采用無可見光和毫米波頻譜的一部分,它是用來為購物者提供精確定位、互動架構,訪問互聯網和基于云的服務,如高分辨率視頻在平板電腦。 他還表示,此次來北京其中有一個目的就是找到一家公司能夠合作,找到適合的芯片,把這樣的一個解決方案實現了,而且是基
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  • 極智報告|大連理工大
    大連理工大學王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術及電子性能”報告中介紹了缺陷到底是什么樣子,缺陷如何去鈍化以及進一步的研究工作進展。并把下一步的工作和進一步實用化的相關內容,包括產業方向上的發展做了詳細介紹。并介紹了核心的鈍化技術,比較獨特,這個鈍化它的研究都是建立在它的物理技術之上,所以這個測試比較強。
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