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高性能SiC解決方案賦能新一代主驅應用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統應用技術高級經理

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

矩陣轉換器被認為是一種最優異的交流-交流功率轉換結構，因為其主要依賴于雙向開關而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉換效率，而且可以突破傳統的通用逆變器所存在的開關切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉換器的重大發展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉