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用于病毒滅活的藍寶石生長230nm遠紫外光功率模組的開發研究Development of 230 nm Far-UVC LED Power Module Grown on c-Sapphire for Human Harmless Virus Inactivation平山秀樹日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMAProfessor ofRIkagaku KENkyusho Institute of Physical and Chemical Research(RIKEN),Japan

氮化鋁基半導體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎研究實驗室負責人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

太陽能衛星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發進展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasersTetsuya TAKEUCHI日本名城大學教授Tetsuya TAKEUCHIProfessor of Meijo University,Japan

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大學教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發展現狀的報告。

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調整我們可以調整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

同步輻射X射線衍射法實現氮化鎵襯底及同質外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業大學兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展》技術報告。敖金平博士1989年畢

極智報告|日本理化所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告|日本大阪大學高悅：銅顆粒燒結貼片連接SiC-MOSFET的長期可靠性研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

該視頻為：日本大阪大學助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應力連接技術》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結微孔和鎢(W)薄膜的夾層結構。芯片粘連層被設計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現低應力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強度高達60Mpa，1000次熱循環（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結技術最有希望應用于高溫工作的低應力的SiC功率模塊。 第三代半導體材料主要包

日本千葉大學榮譽教授矢口博久，主題為“色彩保真度指數”。他表示，今年4月全新的CIE2017色彩保真度指數是更精確的科學使用版本，在CIE224中發布。既然色彩保真度指數目前還不能替代現有的Ra，但是CIE2017的色彩保真度指數也是可以說是CIE進展過程......

日本大阪大學教授菅沼克昭分享了寬禁帶功率器件銀燒結連接的可靠性及其新進展。