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用于先進(jìn)SiC功率模塊的整體解決（核心設(shè)備/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司市場(chǎng)銷(xiāo)售總監(jiān)ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.

SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

珠海雷特張哲綱博士：創(chuàng)新與升級(jí)，向前一步，保持核心競(jìng)爭(zhēng)力

浙大三色儀器有限公司總經(jīng)理王建平在2018光亞展期間，接受極智頭條現(xiàn)場(chǎng)訪問(wèn)，王建平總經(jīng)理現(xiàn)場(chǎng)與極智網(wǎng)友分享公司核心競(jìng)爭(zhēng)力！

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司為中國(guó)國(guó)內(nèi)首家專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)氮化鎵（GaN）襯底材料的企業(yè)。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括設(shè)計(jì)、研發(fā)及產(chǎn)銷(xiāo)：半導(dǎo)體材料、器件、生產(chǎn)設(shè)備等。其創(chuàng)造性地采用MOCVD技術(shù)、激光剝離技術(shù)、HVPE技術(shù)相結(jié)合的方法，研發(fā)、生產(chǎn)產(chǎn)品包括：GaN半導(dǎo)體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/Al2O3復(fù)合襯底，圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）；生產(chǎn)上述產(chǎn)品的設(shè)備，如激光剝離設(shè)備等。并對(duì)相應(yīng)技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，使企業(yè)在國(guó)內(nèi)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中處于一個(gè)優(yōu)勢(shì)位置。