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  • 北京大學工學院特聘研
    超高熱導率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學工學院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University
    132800
    guansheng2023-05-19 14:21
  • 南京郵電大學教授嚴嘉
    氮化鎵光電子融合集成及應用Monolithic III-nitride multicomponent system and its applications嚴嘉彬南京郵電大學教授WANG Yongjin Professor of Nanjing University of Posts and Telecommunications
    87600
    guansheng2023-05-19 13:52
  • 松山湖東莞中民研究院
    內置PL顏色轉換器的高效率氮化綠色LEDHigh Efficiency Nitride Green LEDs with Built-in PL Color Converter閆春輝松山湖東莞中民研究院常務副院長（杜嚴浩代講）Chris YANExecutive Vice-President ofInstitute of General Applied Technologies
    54900
    guansheng2023-05-19 13:50
  • 鎵敏光電董事長、南京
    氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術與產業化應用陸海鎵敏光電董事長、南京大學教授LU HaiProfessor of Nanjing University
    105800
    guansheng2023-05-19 12:02
  • 上海科技大學信息學院
    基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術王浩宇上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
    113200
    guansheng2023-05-19 09:09
  • 臺達電子董慨：碳化硅
    碳化硅及氮化鎵功率器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達電子高階客制電源事業部中國區總監Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
    113300
    guansheng2023-05-19 09:03
  • 正通遠恒總經理劉兵武
    定量陰極發光CL技術在氮化物半導體中的應用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors劉兵武北京正通遠恒科技有限公司總經理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd
    112400
    guansheng2023-05-19 08:55
  • 武漢大學工業科學研究
    無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態熱反射技術Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學工業科學研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
    121200
    guansheng2023-05-19 08:53
  • 南京大學教授修向前：
    基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大學教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
    82100
    guansheng2023-05-18 16:18
  • 中國科學院半導體研究
    當前，人們對于綠色、環保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發展，公共衛生風險對人口流動和經濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發公共衛生風險的重要性不言而喻。基于第三代半導體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節能環保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優勢，成為維護公共衛生安全的重要力量。紫外LED是半導體光電產業發展的新藍海，雙碳戰略也給包括紫外LED產業在內的綠色環保節能產
    211100
    guansheng2022-09-10 15:45
  • 廈門大學張榮 教授:氮
    第三代半導體材料在不同領域的應用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應用又迎來了一波新的發展機遇，作為應用的支撐，技術的發展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領的團隊在氮化物半導體基顯示技術方面的最新研究及成果。報告結合Micro-LED的優勢與挑戰，從外延結構設計、芯片制備、全彩化方案、系統集成、納米LED等方面詳細分享了團隊最新的多個研究發現和研究
    203100
    guansheng2022-09-10 15:43
  • 中國科學院蘇州納米技
    常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生
    127800
    guansheng2022-09-09 15:53
  • 北京大學沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質量、低成本的同質GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質外延，特別是大失配異質外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分
    181200
    guansheng2022-09-09 15:47
  • 圓桌對話：碳化硅、氮
    主題對話環節，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業界中青代骨干
    124800
    guansheng2022-09-08 15:57
  • 西安電子科技大學張進
    勢壘可調、位錯免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學
    64600
    guansheng2022-09-01 12:20
  • 深圳大學范澤龍:基于
    基于帶狀氮化鋁晶體真空紫外探測器研究范澤龍，武紅磊，孫振華深圳大學
    55600
    guansheng2022-09-01 12:17
  • 北京大學陳兆營：面向
    面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學
    88400
    guansheng2022-09-01 11:23
  • 廈門大學張榮教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半導體光電子器件的幾個科學問題張榮--廈門大學校長、教授
    99300
    limit2022-01-31 13:44
  • 徐科：氮化鎵單晶材料
    《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科 研究員 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
    37100
    limit2022-01-11 09:59
  • 蔣科：寬禁帶氮化物半
    《寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
    11200
    limit2022-01-10 11:08
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