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GaN半導(dǎo)體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計(jì)與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業(yè)大學(xué)教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

河北半導(dǎo)體研究所高級(jí)工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報(bào)告。

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶：低毒性量子點(diǎn)復(fù)合材料LED器件應(yīng)用

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶帶來則介紹了量子點(diǎn)用于固態(tài)照明的量子點(diǎn)硅脂納米復(fù)合材料。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注下載極智頭條APP！

河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王晶晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評(píng)價(jià)的報(bào)告，結(jié)合相關(guān)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測(cè)試、以及利用MPCVD設(shè)備來進(jìn)行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實(shí)現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。