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GaN半導體垂直腔面激光器的仿真設計與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業大學教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

高品質磷化銦襯底對激光器性能影響研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南鍺業公司首席科學家、云南鑫耀半導體材料有限公司總經理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd

GaN基微腔激光器的制備Fabrication of GaN based micro-cavity lasers梅洋廈門大學助理教授MEI YangAssistant Professor of Xiamen University

激光雷達用的1550nm磷化銦半導體激光器1550 nm InP semiconductor laser for lidar黃永光河南仕佳光子科技股份有限公司有源產品技術總監,中科院半導體所研究員HUANG YongguangTechnical Director of Henan Shijia Photons Technology Co., Ltd., Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

使用MOCVD生長的QCL激光器Epitaxy of mid- infrared quantum cascade lasers fully by MOCVD房玉龍中電科十三所基礎研究部主任FANG YulongHebei Semiconductor Institute

氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences

基于藍光半導體激光器的新器件：SWOT分析New devices based on blue laser diodes: SWOT analysis.Mike LESZCZYNSKI波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKIProfessor of Institute of High Pressure Physics, Poland

室溫紫外GaN微盤激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志偉中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS

半導體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導體激光器憑其優勢，在眾多領域得到廣泛應用。但是GaAs基大功率半導體激光器仍面臨著功率不足、發熱量大及光束質量差的問題。光電性能差是限制其應用的關鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導體激光器面臨的挑戰。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導體激光器關鍵技術及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

大功率 GaN 藍綠激光器芯片設計、生長和制作 林科闖 總經理 三安光電股份有限公司

《金屬雙面鏡高性能表面等離激元激光器及其物理機制的研究》作者：蔣迪，陶濤，智婷，劉斌，張榮，鄭有炓單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室、南京郵電大學

《GaN基大功率藍光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國科學院半導體研究所

《大功率氮化鎵激光器研究進展》作者：劉建平單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

《GaN材料碳雜質行為與激光器研究進展》作者：趙德剛單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學

報告嘉賓：Aixtron China Limited大客戶經理李曜 報告主題：《針對未來GaAs/InP基激光器的外延大規模生產》

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現了光激射的VCSE