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    瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展,讓與會代表拍手稱贊! 石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的,且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此,化學氣相沉積(CVD)在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來,在Chalmers我們已經在金屬箔(Cu,Pt,Ta等)上生長了單層石墨烯,在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物,石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層,石墨烯可以轉移到
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    limit2025-05-02 20:04
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