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Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology

Ga2O3光電二極管的可控制備及應(yīng)用Controllable Fabrication and Application of Ga2O3 Photodiodes盧紅亮復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授LU HongliangProfessor of Fudan University

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實(shí)現(xiàn)及給應(yīng)用帶來的優(yōu)勢(shì)

北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報(bào)告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。