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硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

從應用端看GaN功率電子器件面臨的關鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學

面向全GaN集成的高性能GaN基增強型p-FET器件研究金昊，蔣其夢*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國科學院微電子研究所

勢壘可調、位錯免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學

高可靠功率系統集成的發展和挑戰Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰澤中國科學院微電子研究所系統封裝與集成研發中心副研究員Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

先進封裝大板扇出研發及功率器件封裝應用The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics林挺宇廣東佛智芯微電子技術研究有限公司副總經理，廣東省半導體智能裝備與系統集成創新中心首席科學家Tingyu LINDeputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學微電子學院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

用于極端環境電子產品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden

Ⅲ族氮化物半導體光電子器件的幾個科學問題張榮--廈門大學校長、教授

寬禁帶半導體，助力推動綠色出行和碳中和WBG, Way to Boost Green Mobility and Carbon NeutralityGeorges Andary--博世蘇州汽車部件總經理，博世汽車電子中國區總裁Georges Andary--GM of Bosch Automotive Products (Suzhou) Co., Ltd., Regional President of Bosch Automotive Electronics China

寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件若干新進展 郝躍 院士 西安電子科技大學

《III族氮化物極性調控在光電子及電力電子器件中的新應用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學院寧波材料技術與工程研究所，廈門大學

《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張云帆，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室

《超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學技術大學

《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學智能工程學院

《面向復雜電氣應用環境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院

廈門大學電子科學系教授、福建省半導體照明工程技術研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術的發光器件/陣列表面光熱特性分布測試》研究報告。他介紹說，顯微高光譜成像技術結合高光譜和顯微技術，獲得探測目標的二維幾何空間及一維光譜信息的數據立方。同時具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優點。是進行微小發光器件/陣列表面光譜探測的理想工具。我們基于顯微高光譜開發了發光器件/陣列表面光熱二維分布測試技術。

中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術總監張叢分享了《國產離子注入機發展及應用》主題報告。

西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大

桂林電子科技大學機電工程學院院長、教授楊道國帶來了題為電子封裝中界面層裂的仿真模擬與表征的報告，分享了該領域的最新研究成