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提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉剛南京大學電子科學與工程學院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士、挪威Crayonano AS創始人兼首席技術官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG

挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來，在Chalmers我們已經在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到